| 主权项 |
1. 一种半导体雷射装置,包含一基座、一半导体雷射晶片及包围此雷射晶片之树脂层,该树脂层为单一合成树脂制成且覆盖此雷射晶片之向外光束放射端面,该树脂层具有一不大于500微米之厚度且具有一大致平行于此雷射晶片向外光束放射端面之表面。2. 根据申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该基座为一制动杆,且还包含一安装于雷射晶片内侧位置制动杆上之监测器光电二极体晶片。3. 根据申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该基座为一引柱架且该雷射晶片藉一次底座安装于此引柱架之一引柱上,且还包含一安装于雷射晶片内侧位置该一引柱上之监测器光电二极体,监测器光电二极体光线接收面延伸之方向大致垂直于雷射晶片之向内光束放射端面。4. 根据申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该基座为一引柱架,位在雷射晶片内侧之一引柱架引柱部分为倾斜的,以便能面对雷射晶片之向内光束放射端面,且还包含一安装于引柱架该一引柱倾斜部分上之监测器光电二极体。5. 根据申请专利范围第1项之半导体雷射装置,其中该基座为一引柱架,位在雷射晶片内侧之一引柱架引柱部分为内凹的,且还包含一安装于引柱架该一引柱凹部中之监测器光电二极体,监测器光电二极体光线接收面延伸之方向大致垂直于雷射晶片之向内光束放射端面。6. 一种半导体雷射装置,包含一基座、一半导体雷射晶片及包围此雷射晶片之树脂层、一雷射晶片安装处之安装面,此安装面之位准较接收雷射二极体晶片后端面放射出雷射光束的监测器光电二极体光线接收面位准为高,该雷射二极体晶片与监测器光电二极体两者均安装于该基座上,以致该光线接收面与雷射二极体晶片后光束放射端面之雷射光束放射方向大致互成垂直。7. 根据申请专利范围第6项之半导体雷射装置,其中基座上有一参考指标,以便在一预定位置固合雷射二极体晶片。8. 根据申请专利范围第6或7项之半导体雷射装置,其中包围雷射二极体晶片之树脂层具有不低于10微米之树脂厚度。9. 一种半导体雷射装置,包含一基座;一半导体雷射晶片,安装于此基座上;一树脂层,包围此雷射晶片;一监测器光电二极体晶片,安装于此基座上且适合接收此雷射晶片放射出之雷射光束:第一导线,此雷射晶片与第一导体之电气连接用;第二导线,此光电二极体晶片与第二导体之电气连接用;及一保护元件,整体地装至此基座以便至少包围此雷射晶片、此光电二极体晶片及此第一与第二导线两者,藉而保护它们免于遭受外力。10. 根据申请专利范围第9项之半导体雷射装置,其中该基座为一引柱架之一引柱,且该保护元件是一侧为一侧壁封闭之一般圆柱外壳,该引柱架之引柱穿过此外壳之侧壁延伸。11. 根据申请专利范围第9项之半导体雷射装置,其中该基座、该第一导体及该第二导体是分别由引柱架之引柱构成,且其中该保护元件是一侧为一侧壁封闭之一般圆柱外壳且具有至少由两轴向延伸凹沟形成之内周面,该保护元件整体装至引柱,最外边之两引柱置入个别之凹沟内。12. 根据申请专利范围第9.10或11项之半导体雷射装置,其中该保护元件为一封闭之结构,在其上有一隙孔让雷射晶片放射出之雷射光束通过俾行至保护元件外面,该保护元件具有一以光吸收层涂覆之内表面。13. 根据申请专利范围第9项之半导体雷射装置,其中该保护元件包含一放置在雷射晶片放射出雷射光束行径上之光学元件,以便能行至保护元件外面。14. 根据申请专利范围第9项之半导体雷射装置,其中该保护元件有一界定于其内之参考面以决定一参考位置,做为有雷射晶片安装于上之基座即将装设于一外界设备时参考用。15. 一种半导体雷射装置,包含一半导体雷射晶片;一监测器光电二极体晶片,适合接收此雷射晶片放射出之雷射光束;一侦测器光电二极体,用以侦测此雷射晶片之反射光束;一立体照片,可引导此反射光束以便入射至此侦测器光电二极体晶片;及一透明树脂层,至少包封此雷射晶片、此监测器光电二极体与此侦测器光电二极体三者中之雷射晶片;其中该树脂层为单一合成树脂制成且具有一实质上与雷射晶片之向外光束放射端面相平行之表面。16. 一种半导体雷射装置,包含:一半导体雷射晶片;一监测该雷射晶片之光输出之光二极体;一信号侦测用之光二极体;一立体照相玻璃,具有用以引导雷射光于该信号侦测用光二极体上之绕射格子;以及树脂,包封该半导体雷射晶片;其中该树脂层为单一合成树脂制成且具有一实质上与雷射晶片之向外光束放射端面相平行之表面。图示简单说明:图1为根据本发明第一具体实例的半导体雷射装置之部分片断截面图;图2为根据本发明第二具体实例的半导体雷射装置之部分片断截面图;图3为根据本发明第三较佳具体实例的半导体雷射装置之平面图;图4为从不同方向观看图3半导体雷射装置之纵向截面图;图5为根据本发明第四具体实例的半导体雷射装置之透视图;图6为图5所示引柱架之概要平面图;图7为根据本发明第五具体实例的半导体雷射装置之透视图;图8为图7所示引柱架之概要平面图;图9为根据本发明第六具体实例的半导体雷射装置之透视图;图10为图9所示引柱架之概要平面图;图11为本发明半导体雷射装置所展现之雷射放射特性图;图12为根据本发明第七具体实例的半导体雷射装置之概要透视图;图13为图12所示半导体雷射装置之中央纵向截面图;图14为制造图12所示半导体雷射装置所用之引柱架平面图;图15为根据本发明第八具体实例的半导体雷射装置之概要透视图;图16为制造图15所示半导体雷射装置所用之引柱架平面图;图17为根据本发明第九具体实例的半导体雷射装置之树脂厚度与劣化时间关系表;图18为允许半导体雷射光束停留之驻留时间与操作电流改变率间之关系图;图19为根据本发明第十具体实例的半导体雷射装置之概要透视图;图20为图19所示半导体雷射装置之概要纵向截面图;图21为制造图19半导体雷射装置所用引柱架之平面图;图22为图19半导体雷射装置所用保护元件之透视图,显示如组合保护元件;图23为根据本发明第十一具体实例的半导体雷射装置之概要纵向截面图;图24为根据本发明第十二具体实例的半导体雷射装置之概要纵向截面图;图25为根据本发明第十三具体实例的半导体雷射装置之概要纵向截面图;图26为根据本发明第十四具体实例的半导体雷射装置之概要纵向截面图;图27为根据本发明第十五具体实例的半导体雷射装置之概要纵向截面图;图28为根据本发明第十六具体实例的半导体雷射装置之概要纵向截面图;图29为根据本发明第十七具体实例的半导体雷射装置之概要纵向截面图;图30(a)至30(f)说明根据本发明第十八具体实例的半导体雷射装置制造顺序;图31及32为制留元件结构及引柱架装至保护元件架构方式之概要透视图;图33为根据本发明第十九具体实例的半导体雷射装置之透视图;图34为根据本发明第廿具体实例的半导体雷射装置之透视图;图35为根据本发明第廿一具体实例的半导体雷射装置之概要纵向截面图;图36为根据本发明第廿二具体实例的半导体雷射装置之概要透视图;图37为图36所示半导体雷射装置之侧视图;图38为根据本发明第廿三具体实例的半导体雷射装置之透视图;图39为图38所示半导体雷射装置之侧视图;图40为根据本发明第廿四具体实例的半导体雷射装置之横向透视图;图41为根据本发明第廿五具体实例的半导体雷射装置之概要截面图;图42与图41相似,显示根据本发明第廿六具体实例之半导体雷射装置;图43为先前技艺半导体雷射装置之一的纵向截面图;图44为图43所示先前技艺半导体雷射装置之透视图;图45为先前技艺半导体雷射装置之雷射放射特性图,其中面向半导体雷射晶片前光束放射端面之树脂层部分具有1000微米之厚度;图46为先前技艺半导体雷射装置之雷射放射特性图,其中覆盖半导体雷射晶片前光束放射端面之树脂被覆并不平行于前光束放射端面;图47为将另一先前技艺半导体雷射装置一部分切离后之透视图;图48为制造另一先前技艺半导体雷射装置所用引柱架之平面图;图49为沿图48线A-A之截面图; |
