| 主权项 |
1. 一种定时基准电路,主要包含:一充电电路,具有一第一输入端、一第二输入端及一输出端;一连接到该充电电路之该第二输入端的定时电压源,该定时电压源的电压大小在一记忆周期之能动期间为一逻辑1,而在该记忆周期之非能动期间为一逻辑0;一参考电容,具有一连接到该充电电路之该输出端的第一端,及一接地的第二端,当该定时电压源的电压大小为逻辑1时,该参考电容会放电,而当该定时电压源的电压大小为逻辑0时,该参考电容会充电至一参考电压;一位准移动电路,具有一输入端与一输出端,其中该位准移动电路之输入端连接到该参考电容之该第一端,在该参考电容被充电的过程中,跨于该参考电容的端电压变成该参考电压之前,该位准移动电路之该输出端的电压大小为该逻辑1,而当跨于该参考电容的端电压等于或大于该参考电压,该位准移动电路之该输出端的电压大小会变成该逻辑0;及一高电压产生电路,具有一输入端与一输出端,其中该高电压产生电路之输入端连接到该位准移动电路之该输出端,而该高电压产生电路之该输出端则连接到该充电电路之该第一端,当该位准移动电路之该输出端的电压大小为该逻辑1时,该高电压产生电路之该输出端的电压为高隔离电压,而当该位准移动电路之该输出端的电压大小为该逻辑0时,该高电压产生电路之该输出端的电压为低隔离电压。2.如申请专利范围第1项之定时基准电路,其特征在于该高隔离电压的大小介于4伏特到6伏特之间。3.如申请专利范围第1项之定时基准电路,其特征在于该低隔离电压的大小介于2.5伏特到4伏特之间。4.如申请专利范围第1项之定时基准电路,其特征在于该参考电压的大小介于1.25伏特到2伏特之间。5.如申请专利范围第1项之定时基准电路,其特征在于该定时基准电路系用于记忆体阵列的位元线,该位元线与接地点之间有一电容,且该参考电容之电容値大小为该位元线与地之间的电容之0.5倍到2倍之间。6.如申请专利范围第1项之定时基准电路,其特征在于该参考电容系藉由流经一受控金氧半场效电晶体之电流来充电,其中该受控金氧半场效电晶体之闸极系连接于该高电压产生电路之该输出端。7.如申请专利范围第6项之定时基准电路,其特征在于该定时基准电路系用于一记忆体阵列,该记忆体阵列具有串联于位元线之一隔离金氧半场效电晶体,且该受控金氧半场效电晶体之大小约同于该隔离金氧半场效电晶体。图示简单说明:图1表示一具有两个记忆体阵列馈入共同的读出放大器之习知的电路图;图2表示连接两个记忆体阵列之位元线与反位元线的习知预充(放)电电路、隔离金氧半场效电晶体及读出放大器之方块图;图3A表示一习知的记忆周期之时序图,其中包括能动期间与非能动期间;图3B表示在一习知的记忆周期中,能动期间与非能动期间中位元线与反位元线电压的时序图;图3C表示在一习知的记忆周期中,能动期间与非能动期间中隔离金氧半场效电晶体之闸极处电压的时序图;图4表示本发明之充电电路、位准移动电路及高电压产生电路的方块图;图5表示本发明之定时基准电路及高电压产生电路的方块图;图6表示本发明之定时基准电路的方块图;图7A表示本发明之的记忆周期中之时序图,其中包括能动期间与非能动期间;图7B表示本发明之的记忆周期中,能动期间与非能动期间中位元线与反位元线电压的时序图;图7C表示本发明之的记忆周期中,能动期间与非能动期间 |
