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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdünnschicht
摘要
申请公布号 DE69027901(T2) 申请公布日期 1996.11.28
申请号 DE19906027901T 申请日期 1990.09.21
申请人 CANON K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 YONEHARA, TAKAO, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA, OHTA-KU, TOKYO, JP
分类号 C30B1/02;H01L21/20;H01L21/324;H01L27/00;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 C30B1/02
代理机构 代理人
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