| 主权项 |
1. 一种制造闸叠层在积体电路中之方法包括下列各步骤:(a) 形成一个多晶矽层在基质上,(b) 形成一个耐火之金属层在该多晶矽层上;(c) 形成一个氧化物层在金属层上,(d) 形成一个光致抗蚀层在该氧化物层上,(e) 使该光致抗蚀层和下面之氧化物层形成图型,(f) 移除经形成图型之光致抗蚀层,(g)使用其余之经形成图型之氧化物层作为硬掩模,蚀刻掉金属层的所露出部份,(h) 移除该氧化物硬掩模,及(i)使用该经形成图型之金属层作为掩模,蚀刻掉所露出之多晶矽层;其中经形成图型之金属掩蔽和在该金属下面之经形成图型之多晶矽层形成低高度之闸叠层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻金属层的所露出部份之步骤亦包括部份蚀刻所露出之多晶矽层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中其余之多晶层在蚀刻所露出之金属层的步骤期间充作场氧化物层之蚀刻掩模。4.如申请专利范围第3项之方法,其中金属层包括选自包括二矽化钨和氮化钛之该团的一种金属。图示简单说明:图1至4系举例说明依照本发明其制造的连续阶段时积体电 |
