印刷电路板制程及产品上之细微间距焊锡沉积

摘要

一种方法，及其所制造之产品，藉其将适合于元件品焊连接的低熔点焊锡形成于印刷电路板的选择接点上。该方法特别适合于具有包括覆晶晶片元件之细微间距元件，其连接于包括传统粗间距表面黏着元件之电路板上，之高密度印刷电路板的制造。电路板的细微间距接点透过网版中的孔洞而暴露，其特征为它之忍受焊锡回焊温度而不为焊锡润湿的能力，且具有比较符合印刷电路板的热膨胀系数。将低温锡膏网印沉积入网版开口。使网版固定地定位于电路板上，而将由网版图案保留的锡膏加以回焊以选择性地形成于下面的印免电路板接点上。其后，根据本发明的较佳实际应用，将网版自电路板移开并对电路板施以先前实施过之为细微及粗间距元件置放而准备的助熔齐及锡膏沉积，并继续进行焊锡回焊。本发明的另一项实际应用牵涉细微及粗间距焊锡的同时沉积以及细微间距焊锡回焊后的网版保留。

主权项

1. 一种在电路板上形成细微间距焊锡沉积的方法,包含步骤有:定位网版于电路板之上,使开口对齐选择的电路板接点;网印沉积锡膏入网版的开口;及在网版存在下回焊锡膏以在选择的电路板接点上形成焊锡。2. 如申请专利范围第1项之方法,包含进一步的步骤:回焊在选择电路板接点上的焊锡以连接置放的元件。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中网版由不为焊锡润湿的材料形成。4. 如申请专利范围第2项之方法,其中网版由不为焊锡润湿的材料形成。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中网版与电路板紧密接触且其特征为拥有类似于电路板的热膨胀系数。6. 如申请专利范围第2项之方法,其中网版与电路板紧密接触且其特征为拥有类似于电路板的热膨胀系数。7. 如申请专利范围第2项之方法,包含进一步的步骤:在进行回焊焊锡的步骤之前,经由用于选择元件的粗间距网版网印沉积锡膏。8. 如申请专利范围第2项之方法,包含进一步的步骤:在进行回焊焊锡的步骤之前,选择性地沉积助熔剂以固定元件。9. 一种黏附细微间距端点元件于印刷电路板的方法,包含步骤有:放置非润湿性网版于电路板之上,使开口对齐选择的电路板接点;网印沉积锡膏入网版的开口;在网版存在下回焊锡膏以在选择的电路板接点上形成焊锡;沉积助熔剂于选择的电路板接点之上;置放元件;及回焊在选择电路板接点上的焊锡以连接置放的元件。10. 如申请专利范围第9项之方法,包含进一步的步骤:在进行回焊焊锡的步骤之前,经由用于选择元件的粗间距网版网印沉积锡膏。11. 如申请专利范围第9项之方法,其中置放元件昀局鉴包含进行回焊焊锡步骤前之元件端点的置入已沉积之助熔剂中。12. 一种印刷电路板,包含:介电结构内层;具有细微及粗间距接点于介电结构内层之至少一个平面上的导电性互连层;及形成于选择导电性层细微间距接点上的焊锡,其藉由:形成第一网版于具有导电性互连层的表面之上,使开口对齐选择的导电性层接点;网印沉积锡膏进入第一网版的开口;及在第一网版存在下回焊锡膏。13. 如申请专利范围第12项的电路板,更包含:使用形成之焊锡而连接于选择之导电性层细微间距接点的第一元件。14. 如申请专利范围第13项的电路板,更包含:使用由第二网版界定之网印沉积锡膏而连接于选择之导电性层粗间距接点的第二元件。15. 如申请专利范围第14项的电路板,其中第一网版的间距比第二网版的间距精细2倍或者更多。16. 如申请专利范围第2项之方法,其中置放的元件是覆晶晶片晶粒。17. 如申请专利范围第9项之系统,其中置放的元件是覆晶晶片。图示简单说明:图1-5以图式的横断面图叙述在细微间距印刷电路板接点上形成低熔点焊锡之先前技艺方法中的各个步骤。图6以图式的横断面图叙述以融熔喷注喷洒低熔点焊锡于印刷电路板接点之细微间距图案上的先前技艺实际应用。图7是图式地叙述,根据本发明,低熔点锡膏经由细微间距网版之网印的透视图。图8显示,根据本发明,使用锡膏网印之细微间距接点的图式横断面图。图9显示,根据本发明,在网版存在下低熔点锡膏回焊后之细微间距接点的图式横断面图。图10是图式地叙述,根据本发明,低熔点锡膏经由粗间距网版之网印的透视图。图11以图式的横断面图显示,根据本发明,覆晶晶片矽晶粒的置入沉积于细微间距接点上之助熔剂中。图12以图式的横断面图显示,根据本发明,在形成于接点上之低熔点焊锡的回焊时,覆晶晶片矽晶粒对印刷电路板之细微间距接点的连接。图13提供,根据本发明,表现本发明制程之特征的流程图