可消除针孔效应之复晶矽沈积方法

摘要

本发明系关于一种可消除针孔效应之复晶矽沈积方法，尤指一可使该复矽化物 (POLYCIDE)闸极之下层复晶矽材料表面可获致较为平顺效果及可免除“针孔“现象，以解决后续表层清洁向下渗入至闸氧化层位置及破坏闸氧化层之缺陷，而该形成表面平顺及无针孔效应之复晶矽形成方法，主要即在进行复晶矽沈积时，为采用仅关闭

主权项

1. 一种可消除针孔效应之复晶矽沈积方法,为专指形成复矽化物(POLYCIDE)闸极之下层复晶矽,形成之方法包括:一为将复晶矽沈积作业分割成多次依序进行之多次步骤,而各步骤间为在同一机台内部以间隔方式施行;据以使各次形成之复晶矽材料层呈相互重叠,且各层晶粒边缘呈错开之多层复晶矽。2. 如申请专利范围第1项所述之可消除针孔效应之复晶矽沈积方法,其中该多次实施复晶矽沈积作业期间,为仅以关闭气源及循环数次气源注入/净化之步骤施行者。3. 如申请专利范围第2项所述之可消除针孔效应之复晶矽沈积方法,其中该气源为SiH@ss4者。图示简单说明:第一图:系本发明之多次沈积复晶矽之剖面构造图。