| 主权项 |
1. 一种各向同性之矽蚀刻程序包括下列步骤:提供一具钨柱栓之晶圆,有一氧化罩及矽与钨柱栓接触:以氦气于晶圆背面提供冷却:以CF@ss4/CHF@ss3和氩气约3:1的比例产生的电浆褪除氧化罩:移去背面提供冷却的氦气;以及用蚀刻剂之电浆褪去矽。2. 如申请专利范围第1项之矽蚀刻程序,其中矽材料选自未掺杂质的多晶矽、掺杂质的多晶矽、及单晶矽。3. 如申请专利范围第1项之矽蚀刻程序,其中以电浆褪去矽之步骤使用溴化氢作为蚀刻剂。4. 如申请专利范围第3项之矽蚀刻程序,其对钨具高选择性。5. 如申请专利范围第4项之矽蚀刻程序,其对二氧化矽或氮化矽具高选择性。6. 如申请专利范围第1项之矽蚀刻程序,其中该氧化罩是氧化矽(SiOx)。7. 如申请专利范围第6项之矽蚀刻程序,并含以四乙基原矽酸盐(TEOS)裂块、来自SiOx靶之喷镀物、或将SiOx蒸发等方法形成氧化罩的步骤。8. 如申请专利范围第6项之矽蚀刻程序,并含以SiH@ss4及N@ss2O之化学气相沈积形成氧化罩的步骤。9. 如申请专利范围第1项之矽蚀刻程序,其中以电浆褪除氧化罩的步骤所使用的条件是:氩气流速200sccm,四氟化碳流速60sccm,CHF@ss3则为20sccm,设定压力为240mTorr,功率1200瓦,而电极间隙则是1.015公分。10.如申请专利范围第3项之矽蚀刻程序,其中以电浆褪除矽层的步骤所使用的条件是:溴化氢速度300sccm,压力为650mTorr,功率575瓦,电极间隙为1.3公分,大约进行20秒,然后以压力350mTorr,功率575瓦,电极间隙0.8公分,大约进行20秒,再以压力650mTorr,功率575瓦,电极间隙1.3公分进行大约125秒。11. 一种各向同性之矽蚀刻程序,包括下列步骤:提供一具钨柱栓之晶圆,有一氧化罩及矽与钨柱栓接触:以氦气约12Torr的压力于晶圆背面提供冷却;利用终点侦测以CF@ss4/CHF@ss3和氩气约3:1的比例之电浆褪去氧化罩;再对氧化罩进行大约相当于终点侦测时间之百分之二十八之过蚀刻;移去背面提供冷却的氦气;以及用蚀刻剂之电浆褪除矽。12. 如申请专利范围第11项之矽蚀刻程序,其中矽材料选自未掺杂质的多晶矽、掺杂质的多晶矽、及单晶矽。13. 如申请专利范围第11项之矽蚀刻程序,其中电浆褪去矽之步骤使用流速300sccm的溴化氢作为蚀刻剂。14.如申请专利范围第13项之矽蚀刻程序,其对钨具高选择性。15. 如申请专利范围第14项之矽蚀刻程序,其对二氧化矽或氮化矽具高选择性。16. 如申请专利范围第11项之矽蚀刻程序,其中该氧化罩是氧化矽(SiOx)。17. 如申请专利范围第16项之矽蚀刻程序,并含以四乙基原矽酸盐(TEOS)之裂块、来自SiOx靶之喷镀物、或将SiOx蒸发等方法形成氧化罩的步骤。18. 如申请专利范围第16项之矽蚀刻程序,并含以SiH@ss4及N@ss2O之化学气相沈积形成氧化罩的步骤。19.如申请专利范围第11项之矽蚀刻程序,其中以电浆褪除氧化罩的步骤使用的条件是:氩气流速200sccm,四氟化碳流速60sccm,CHF@ss3则为20sccm,设定压力为240mTorr,功率1200瓦,而电极间隙则是1.015公分。20.如申请专利范围第13项之矽蚀刻程序,其中以电浆褪除矽层的步骤使用的条件是:压力为650mTorr,功率575瓦,电极间隙为1.3公分,大约进行20秒,然后以压力350mTorr,功率575瓦,电极间隙0.8公分,大约进行20秒,再以压力650mTorr,功率575瓦,电极间隙1.3公分进行大约125秒。图示简单说明:图1为在心轴蚀刻前之闸极堆叠和钨质扩散接触(CD)柱栓的横剖面图;图2为图1去除硬性氧化罩后之闸极堆叠和钨质扩散接触(CD)钨柱栓的横剖面图;图3为图2作心轴多晶矽蚀刻后之闸极堆叠和钨质扩散接触(CD)钨柱栓的横剖面图;图4为图3以NF@ss3/SF@ss6作清除蚀刻后之闸极堆叠和钨质扩散接触(CD)钨柱栓的横剖面图;图5为本发明之步骤的流程图;图6为根据本发明在多晶矽以溴化氢的化学反应褪去,并移去背面提供冷却的氦气后之闸极堆叠和钨质扩散接触( |
