等离子体沉积方法及其装置

摘要

电浆生成性气体和反应性气体馈入真空容器内，电浆生成用之磁场和微波功率施加于真空容器，而电浆系利用 ECR生成，此时＄＄或SiOF薄膜，例如，形成于铝绕线上。于薄膜沈积之初期，事先，调整施于台之电浆导入用之射频功率位准，例如，调整至零（第一值含零）。因晶圆表面之自偏压为零（举例），故晶圆表面之电位分布实际上依电浆之电位分布而定。因为于平面方向之电浆电位差至多低抵１伏，然而，施加于业已形成于晶圆上的闸极氧化物膜之电压够低而不会损害既有的薄膜。然后，于＄＄或SiOF薄膜沈积至数十尘米(nm)（举例）之少许厚度后，电浆导入用之射频功率调整至正常功率位准（第二值），并施于台上。此时，生成密集各向异性电浆，而于晶圆之平面方向形成对应于自偏压之电位分布。因为于晶圆表面上形成少许＄＄薄膜，例如，铝绕线，然而，施日至既存闸极氧化物膜的电压被此种绝缘薄膜降低。如此，可防止闸极氧化物膜受损。

主权项

1. 一种电浆沈积方法,利用电子回旋加速器共振将电浆气体转成电浆,并藉电浆活化反应性气体,而于有待处理的基材上方沈积一层绝缘薄膜,该方法包括下列步骤:朝容纳于真空容器的台形成磁场,并将有待处理基材支撑于其上;于真空容器内供应具预定値之微波功率,经由与磁场共同作用产生共振操作,因而将电浆气体转成电浆;及于台上施加偏压射频功率,而电浆将导向台,各步骤中,偏压射频功率之位准于薄膜沈积之初期调整至第一値,而于薄膜沈积之初期后,调整至大于第一値的供电浆导入用之第二値。2. 如申请专利范围第1项之电浆沈积方法,其中该第一値系设定为可防止沈积于基材上的闸极氧化物膜受损之値。3. 如申请专利范围第1项之电浆沈积方法,其中该第一値设定为零。4. 如申请专利范围第1项之电浆沈积方法,其中该绝缘薄膜包含SiO@ss2或SiOF薄膜。5. 如申请专利范围第1项之电浆沈积方法,其中该薄膜沈积初期包含一段时间确保于偏压射频功率增高后包埋有极少空隙。6. 一种电浆沈积装置,利用电子回旋加速器共振将电浆气体转成电浆,并藉电浆活化反应性气体而沈积一层绝缘薄膜于有待处理之基材上,该装置包括:一个真空容器,其有个供支撑有待处理基材于其中之台并维持大体真空;磁场形成装置,其系供朝向真空容器内之台形成磁场;电浆生成性微波功率供应装置,其系供于真空容器内供应具预定値之微波功率,并经由与磁场共同作用而产生共振操作,因而将电浆气体转成电浆;电浆导入偏压射频功率施加装置,其系供施加偏压射频功率至台而将电浆导入朝向台;及控制装置,其系供控制电浆导入偏压射频功率施加装置,因而偏压射频功率之位准于薄膜沈积之初期调整至第一値,而于薄膜沈积之初期后,调整至大于第一値的供电浆导入用之第二値。7. 如申请专利范围第6项之电浆沈积装置,其中该第一値系设定为可防止沈积于基材上的闸极氧化物膜受损之値。8. 如申请专利范围第6项之电浆沈积装置,其中该第一値设定为零。9. 如申请专利范围第6项之电浆沈积装置,其中该绝缘薄膜包含SiO@ss2或SiOF薄膜。10. 如申请专利范围第6项之电浆沈积装置,其中该薄膜沈积初期包含一段时间确保于偏压射频功率增高后包埋有极少空隙。图示简单说明:第1图为举例说明根据本发明之电浆方法装置之剖面图;第2图为举例说明根据本发明之方法顺序之时序图;第3A和3B图为举例说明基于本发明之方法,于薄膜沈积初期,晶圆表面状态之简图和曲线图;第4A和4B图为举例说明基于本发明之方法,于薄膜沈积中期,晶圆表面状态之简图和曲线图;第5A和5B图为举例说明根据本发明之另一具体例之方法顺序之时序图;第6图为显示先前技术之电浆方法装置之示意剖面图;第7图为举例说明先前技术之电浆方法装置之顺序之时序图;