| 主权项 |
1. 一种具矽晶片侦测器之无夹式系统(Unclamp system)蚀刻机台,包含:一反应预备室,该反应预备室系为进行电浆蚀刻反应前处理矽晶片之处;一输送矽晶片装置,该输送矽晶片装置位于该反应预备室内,用以装载及输送矽晶片;一反应室,该反应室与该反应预备室的右侧边紧邻,该反应室系进行电浆蚀刻反应之处;一焦距环,该焦距环位于该反应室内的中央,该焦距环系为一圆形环,用以对焦;一矽晶片升降台,该矽晶片升降台系为于该焦距环圈内之圆形平台,用以放置矽晶片及调整矽晶片的高度;一矽晶片侦测器,该矽晶片侦测器位于该矽晶片升降台面下,系为侦测矽晶片放置于该矽晶片升降台上的情形之用,该矽晶片侦测器包含了复数个真空管路及复数个气脉侦测器;一反应缓冲室,该反应缓冲室系位于该反应室的,该反应缓冲室系为矽晶片进行电浆蚀刻反应后预备进行下一步制程之处;及一矽晶片输出装置,该矽晶片输出装置位于该反应缓冲室内,系为装卸及输出矽晶片之用。2. 如申请专利范围第1项之机台,其中上述之矽晶片升降台更进一步包含:第一支柱,该第一支柱系为一中空之圆形柱子,该第一支柱系位于该矽晶片升降台下面用以支撑该矽晶片升降台;第二支柱,该第二支柱系为一中空之圆形柱子,该第二支柱系位于该矽晶片升降台下面用以支撑该矽晶片升降台;第三支柱,该第三支柱系为一中空之圆形柱子,该第三支柱系位于该矽晶片升降台下面用以支撑该矽晶片升降台;及第四支柱,该第四支柱系为一中空之圆形柱子,该第四支柱系位于该矽晶片升降台下面用以支撑该矽晶片升降台。3. 如申请专利范围第1项之机台,其中上述之矽晶片侦测器包含:第一真空管路,该第一真空管路系位于第一支柱的中空内壁内,用以抽气;第二真空管路,该第二真空管路系位于第二支柱的中空内壁内,用以抽气;第三真空管路,该第三真空管路系位于第三支柱的中空内壁内,用以抽气;第四真空管路,该第四真空管路系位于第四支柱的中空内壁内,用以抽气;第一气脉侦测器,该第一气脉侦测器系安置于第一真空管路下端的内壁上用以侦测第一真空管路内之气流;第二气脉侦测器,该第二气脉侦测器系安置于第二真空管路下端的内壁上用以侦测第二真空管路内之气流;第三气脉侦测器,该第三气脉侦测器系安置于第三真空管路下端的内壁上用以侦测第三真空管路内之气流;第四气脉侦测器,该第一气脉侦测器系安置于第一真空管路下端的内壁上用以侦测第四真空管路内之气流;4. 如申请专利范围第3项之机台,其中上述之第一气脉侦测器更进一步包含一输出显示器,该输出显示器系用以显示上述之第一气脉侦测器所侦测之结果。5. 如申请专利范围第3项之机台,其中上述之第二气脉侦测器更进一步包含一输出显示器,该输出显示器系用以显示上述之第一气脉侦测器所侦测之结果。6. 如申请专利范围第3项之机台,其中上述之第三气脉侦测器更进一步包含一输出显示器,该输出显示器系用以显示上述之第一气脉侦测器所侦测之结果。7. 如申请专利范围第3项之机台,其中上述之第四气脉侦测器更进一步包含一输出显示器,该输出显示器系用以显示上述之第一气脉侦测器所侦测之结果。图示简单说明:第一图所示为传统之无夹式系统(Unclamp system)蚀刻机台的结构剖面图。第二图所示为矽晶片平放置于矽晶片升降台上之剖面图。第三图所示为矽晶片斜放置于矽晶片升降台上之剖面图。第四图所示为本发明具矽晶片侦测器之无夹式系统(Unclamp system)蚀刻机台的结构剖面图。第五图所示为具矽晶片侦测器之无夹式系统(Unclampsystem)蚀刻机台的矽晶片升降台下之矽晶片侦测器的结构剖面图。第六图所示为具矽晶片侦测器之无夹式系统(Unclampsystem)蚀刻机台的矽晶片平放置于矽晶片升降台上之剖面图。第七图所示为具矽晶片侦测器之无夹式系统(Unclampsystem)蚀刻机台的矽晶片斜放置于矽晶片升降台上之剖 |
