| 主权项 |
1. 一种异质接面双极性电晶体,其为在射极电极和集极电极之间,并联形成具备有射极层、基极层、及集极层的复数个电晶体单元之异质接面双极性电晶体中,其特征为:在上述各电晶体单元之射极层和上述射极电极之间,具备有由AlGa@ss1-As(0.5≦x≦1)所构成的镇定电阻层。2.如申请专利范围第1项之异质接面双极性电晶体,其中上述镇定电阻层的载体浓度系为110@su1@su7cm@su-@su3以上者3. 如申请专利范围第1或2项之异质接面双极性电晶体,其中形成由半导体所构成的倾斜连接层以便可连接上述镇定电阻层之至少一方的面上,而该倾斜连接层,系为其能带隙在其厚度方向上,具有以下之値:从大致等于上述镇定电阻层侧之该镇定电阻层之能带隙的値,慢慢变化至大致等于在和上述镇定电阻层相反之侧,且在该相反侧上连接该倾斜连接层之层之能带隙的値者。图示简单说明:图1显示本发明实施例1之异质接面双极性电晶体之构造的放大截面图。图2显示本发明实施例1之异质接面双极性电晶体之制造方法的制程截面图。图3显示载体浓度对n-AlGa@ss1@ss-As半导体层的Al组成比x 、及移动率的图。图4显示电阻率对n-AlGa@ss1@ss-As半导体层的Al组成比x 的图。图5显示本发明实施例2之异质接面双极性电晶体之构造的放大截面图。图6显示载体浓度对n-AlGa@ss1@ss-As半导体层之搀杂浓度的图。图7显示晶圆面内电阻率之分布不均对n-AlGa@ss1@ss-As半导体层之载体浓度的图。图8显示本发明实施例2之电阻率对镇定电阻层之晶圆面内之位置的图。图9显示本发明实施例3之异质接面双极性电晶体构造的放大截面图。图10显示习知异质接面双极性电晶体之外观的斜视图。图11显示习知异质接面双极性电晶体之构造的放大截面图。图12显示习知异质接面双极性电晶体中之镇定电阻层之电阻値的温度相关性图。图13显示习知异质接面双极性电晶体中之镇定电阻层之电 |
