改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法

摘要

本发明系关于一种改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法，尤指一种可使形成之矽化钛薄膜可达到较佳的均匀性而不致造成聚结断裂之缺点，另可缩短制程与增加产能者，主要为在溅镀钛金属之前的表层清洗步骤中，先透过稀硫酸清浩矽层接触区表面后，在溅镀机台内实施一道电浆蚀刻之步骤，以完全去除矽层接触区表面在此之前的制程所留下的氧化层，接着进行钛溅镀、高温回火、选择性去除未反应之钛金属，由于钛溅镀之前已完全去除接触区之自然氧化层之故，可使接触区位置之矽化钛薄膜的形成速率一致，可达到较佳的均匀度与提升产品良率之优点。

主权项

1. 一种改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法,包括:一对晶片绝缘层蚀刻以形成接触区开口以及经稀硫酸清洗之步骤;一实施离子电浆蚀刻之步骤,以去除附着于接触区开口内之自然氧化层;一全面性溅镀钛金属之步骤,钛金属为附着于接触区开口外围、内壁、底面位置,且该位在接触区开口底面之钛金属为直接与矽层接触;一高温回火及去除未反应之钛金属的步骤,而仅在接触区开口内底部位置之钛金属与矽层反应生成厚度均匀之矽化钛者。2. 如申请专利范围第1项所述之改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法,其中该稀硫酸为以1:1比例之硫酸与双氧水混合而成,并在125℃进行晶片之清洗者。3. 如申请专利范围第1项所述之改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法,其中该离子电浆蚀刻之步骤,为将晶片直接置于溅镀机台上实施者。4. 如申请专利范围第1项所述之改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法,其中该离子电浆蚀刻之步骤,可使用150瓦特之功率、60sccm之氩气、真空度为6mtorr下实施者。5. 如申请专利范围第4项所述之改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法,其中该离子电浆蚀刻为以153℃之温度状态下进行30秒钟者。6. 一种改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法,包括:一对晶片绝缘层蚀刻以形成接触区开口以及经稀硫酸清洗之步骤;一为令上述晶片置于溅镀机台内,而在进行溅镀作业前,实施一道离子电浆蚀刻之步骤,以去除附着于接触区开口内之自然氧化层;一在上述同一机台内实施全面性溅镀钛金属之步骤,此步骤为令钛金属为附着于接触区开口外围、内壁、底面位置,且该位在接触区开口底面之钛金属为直接与矽层接触;一高温回火及去除未反应之钛金属的步骤,而仅在接触区开口内底部位置之钛金属与矽层反应生成厚度均匀之矽化钛者。7. 如申请专利范围第6项所述之改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法,其中该稀硫酸为以1:1比例之硫酸与双氧水混合而成,并在125℃进行晶片之清洗者。8. 如申请专利范围第6项所述之改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法,其中该离子电浆蚀刻之步骤,可使用150瓦特之功率、60sccm之氩气、真空度为6mtorr下实施者。9. 如申请专利范围第8项所述之改善矽化钛薄膜均匀度之形成方法,其中该离子电浆蚀刻为以153℃之温度状态下进行30秒钟者。图示简单说明:第一A-D图:系本发明之制程剖面示意图。