| 主权项 |
1.一种形成薄膜之方法,其包含藉由一混合气的热反应在已加热的一基体上形成一含氟的氧化矽薄膜之步骤,该混合气包括一具有Si-F键的有机矽甲烷、一不具有Si-F键的有机矽甲烷和一含臭氧的气体。2.依据申请专利范围第1项的该形成薄膜之方法,其中,该含氟的氧化矽薄膜是在一大气压下形成的。3.依据申请专利范围第1项或第2项的该形成薄膜之方法,其中,该具有Si-F键的有机矽甲烷包含氟化烷氧基矽烷(SiFn(OR)4-n,n=1到3,R代表烷基、芳香族羟基或他们的衍生物)、氟化烷基甲矽烷(SiFnR4-n,n=1到3,R表示烷基、芳香族羟基或他们的衍生物)、链状的氟化矽氧烷(RnF3-nSiO(RkF2-kSiO)mSiF3-nRn,=1,2,k=0到2,m≧0,R表示烷基、芳香族羟基或他们的衍生物)或环状的氟化矽氧烷((RkF2-kSiO)m,K=1,m≧2,R表示烷基、芳香族羟基或他们的衍生物)。4.依据申请专利范围第1项或第2项的该形成薄膜之方法,其中,该不具有Si-F键的有机矽甲烷包括烷氧基甲矽烷(SiHn(OR)4-n,n=1到3,R代表烷基、芳香族羟基或他们的衍生物)、链状的氟化矽氧烷(RnH3-nSiO(RkF2-kSiO)mSiH3-nRn,n=1,2,k=0到2,m≧0,R表示烷基、芳香族羟基或他们的衍生物)或环状矽氧烷((RkH2-kSiO)m,k=1,m≧2,R表示烷基、芳香族羟基或他们的衍生物)。5.依据申请专利范围第1项或第2项的该形成薄膜之方法中,该含臭氧的气体包括臭氧(O3)和氧气(O2)。6.依据申请专利范围第1项的该形成薄膜之方法,其中更包括将已形成该含氟的氧化矽薄膜暴露在至少含氧气或氮气的电浆中的步骤,中该基体是处于被加热状况。7.依据申请专利范围第6项的该形成薄膜之方法,其中,该电浆至少包含氧气或氮气,其可为O2.NO、NO2或N2O。图示简单说明:第一图是一个薄膜形成设备的示意图。依据本发明的实施例,它是被使用形成含氟的氧化矽薄膜。第二图是一个电浆制程设备的示意图,它是被使用在依据本发明的实施例中来形成含氟的氧化矽薄膜的它浆制程中。第三图是一个含氟的氧化矽薄膜其沈积率和沈积温度间关系的特性描述,而此薄膜是依据本发明的实施例中的薄膜形成法所制成的。第四图是一个含氟的氧化矽薄膜其沈积率和F-TES流动率间关系的特性描述,而此薄膜是依据本发明的实施例中的薄膜形成法制成的。第五图是一个含氟的氧化矽薄膜其折射率和沈积温度间关系的特性描述,而此薄膜是依据本发明的实施例中的薄膜形成法制成的。第六图是一个含氟的氧化矽薄膜其折射率和F-TES流动率间关系的特性描述,而此薄膜是依据本发明的实施例中的薄膜形成法制成的。第七图是一个含氟的氧化矽薄膜其对红外线吸收结果的特性描述,而此薄膜是依据本发明的实施例中的薄膜形成法制成后并经过电浆照射过程。第八图是一个含氟的氧化矽薄膜经由电浆照射过程所造成之品质改善效应的特性描述,而此薄膜是依据本发明的实施例中的薄膜形成法制成的。 |
