| 主权项 |
1.一种于半导体元件内制造自行配向无界线接触之方法,该半导体元件包含:第一导电层、界定一对导电片之打模导电层、以及置于该第一导电层与该打模导电层之间且覆盖在该导电层之此对导电片之上的电介质缘层膜,该方法包括下列步骤:在位于且实质上配向于该对导电片之间的该电介质绝缘层膜之选取区域内蚀刻出一开口,蚀刻程序持续到穿过该电介质绝缘层膜,使得电介质绝缘层膜之一部分留存于开口与该第一导电层之间;形成一间隔物描出该接触孔;蚀刻延伸于该接触孔与该第一导电层之间的电介质绝缘层膜之留存部分使开口再延伸而达第一导电层,其中间隔物实质上避免电介质绝缘质层膜之留存部分上该对分隔开的导电片受到腐蚀;以导电材料填充该接触孔而形成自行配向无界线接触,其中该无界线接触与该打模导电层上该对导电片之间是由该电介质绝缘层膜形成电性隔离。2.如申请专利范围第1项之方法尚包括:在该无界线接触之上淀积第二导电层,其中该无界线接触使该第一导电层与该第二导电层形成电学耦合。3.如申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻该接触孔之步骤包括乾燥蚀刻。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该乾燥蚀刻为异向性蚀刻。5.如申请专利范围第1项之方法,其中描出该接触孔之步骤包括:于该接触孔内淀积导电材料;及选择性地蚀刻该导电材料而形成该间隔物。6.如申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻该电介质绝缘层膜留存部分之步骤包含选择式等方性蚀刻。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该介电绝缘层膜包括:淀积于该第一导电层与该打模导电层上该对导电片之间的第一电介质绝缘层膜,覆盖于该打模导电层上该对导电片之上的第二电介质绝缘层膜,以及覆盖于该第二电介质绝缘层膜之上的第三电介质绝缘层膜。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该接触孔之蚀刻步骤是于第三电介质绝缘层膜上进行的。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该电介质绝缘层膜留存部分包含各该第一、第二、和第三电介质绝缘层膜之一部分,且蚀刻该电介质绝缘层膜留存部分之步骤包含等方性蚀刻该第三电介质绝缘层膜之步骤。10.如申请专利范围第9项之方法,其中蚀刻该电介质绝缘层膜留存部分之步骤还包含乾燥蚀刻该第一和第二电介质绝缘层膜以便将该接触孔延伸到该第一导电层。11.如申请专利范围第7项之方法,尚包括在蚀刻该接触孔步骤之前于该第三电介质绝缘层膜上形成蚀刻停驻层的步骤。12.如申请专利范围第1项之方法,尚包括在蚀刻该接触孔步骤之前于该电介质绝缘层膜上形成蚀刻停驻层之步骤。13.如申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻该电介质绝缘层膜留存部分之步骤系沿该接触孔之一部分遗留了该电介质绝缘层膜之残留部分,且尚包括于以导电材料填充该接触孔之前蚀刻该电介质绝缘层膜留存部分之步骤,以使其接触面积为最大。14.一种于半导体元件内制造自行配向无界线接触的方法,该半导体元件包含:第一导电层、界定一对导电片之打模导电层、以及置于该第一导电层与该打模导电层之此对导电片之上的电介质绝缘层膜,该方法包括下列步骤:在位于且实质上配向于该寺导电片之间的该电介质绝缘层膜之选取区域内蚀刻出一开口,蚀刻程序持续到穿过该电介质绝缘层膜,使得电介质绝缘层膜之一部分留存于开口与该第一导电层之间;形成一间隔物描出该接触孔;蚀刻延伸于该接触孔与该第一导电层之间的电介质绝缘层膜之留存部分使开口再延伸而达第一导电层,其中间隔物实质上避免电介质绝缘质层膜之留存部分上该对分隔开的导电片受到腐蚀。15.如申请专利范围第14项之方法,其中蚀刻该接触孔之步骤包括乾燥蚀刻。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该乾燥蚀刻为异向性蚀刻。17.如申请专利范围第14项之方法,其中蚀刻该电介质绝缘层膜留存部分之步骤包含选择式等方性蚀刻。18.如申请专利范围第14项之方法,尚包括在蚀刻该开口步骤之前于该电介质绝缘层膜上成长蚀刻停驻层之步骤。19.如申请专利范围第14项之方法,其中蚀刻该介电绝缘层膜留存部分之步骤系沿该开口之一部分遗留了该电介质绝缘层膜之残留部分,且还包括于以导电材料填充该接触孔之前蚀刻该电介质绝缘层膜留存部分步骤,以使该孔洞接触面积为最大。20.如申请专利范围第14项之方法,其中该电介质绝缘层膜包括:淀积于该第一导电层与该打模导电层上该对导电片之间的第一电介质绝缘层膜,覆盖于该打模导电层上该对导电片之上的第二电介质绝缘层膜,以及覆盖于该第二电介质绝缘层膜之上的第三电介质绝缘层膜。图示简单说明:第一A图、系具习用技术中接触钉有界线接触结构的典型半导体元件之截面侧视图;第一B图、系另一种根据习用技术具自行配向无界线接触结构的典型半导体元件之截面侧视图;第一C图、系为显示根据习用技术以避免如第一B图所示半导体元件于蚀刻程序中受到腐蚀之截面侧视图;第二A-二G图、系透过典型半导体元件之截面侧视图,以展示根据本发明之自行配向无界线接触孔制造方法实例1之不同处理步骤;以及第三A-三C图、系透过典型半导体元件之截面侧视图,以展示根据本发明之自行配向无界线接触孔制造方法实例2之不同处理步骤。 |
