Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Abscheidung einer Schicht auf einer Substratoberfläche mit mikroelektronischen Strukturen. Ein das Schichtmaterial enthaltendes Gas wird auf die Substratoberfläche geleitet. Das im Gas enthaltende Material scheidet sich als Schicht auf der Substratoberfläche ab. Substratoberflächen sollen derart beschichtet werden, dass im verminderten Umfang als bisher mikroelektronische Strukturen auf dem Substrat geschädigt werden. Verfahrensgemäss wird deshalb eine Entkopplung der Gas- und Probentemperatur vorgenommen, so dass heisses Gas auf eine kühle Oberfläche trifft. In besonders vorteilhafter Weise wird zu diesem Zweck ein örtlich begrenzter Gasstrahl erzeugt und das Substrat (4) mittels einer Transportvorrichtung (5) in den Gasstrom zwecks Beschichtung hineintransportiert. Auf diese Weise ist es auf einfache Weise möglich, das Substrat zunächst in einem kühlen Bereich zu lagern und es erst unmittelbar vor Durchführung der Beschichtung in den heissen Gasbereich hineinzutransportieren.
申请公布号
WO9729218(A1)
申请公布日期
1997.08.14
申请号
WO1997DE00217
申请日期
1997.02.03
申请人
FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH;BONZEL, HANS, PAUL;PIRUG, GERHARD;VERHASSELT, JOERN
发明人
BONZEL, HANS, PAUL;PIRUG, GERHARD;VERHASSELT, JOERN