| 主权项 |
1.一种接面式双载子可调变式电阻装置,可应用在积体电路中,包括:一矽基底;一电阻层,覆盖于该矽基底上,该电阻层包括一第一极性电阻区以及一第二极性电阻区,该第一极性电阻区覆盖于该第二极性电阻区上;一介电层,覆盖于该电阻层上;以及一导电层,覆盖于该介电层上,改变加在该导电层上之控制电压,可改变该电阻层之电阻値。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该电阻层之厚度约为800A。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该第一极性为N型,该第二极性为P型。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该第一极性为P型,该第二极性为N型。5.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该介电层系氧化物绝缘层。6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该氧化物层之厚度约为3000A。7.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该导电层系金属层。8.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该导电层系高掺杂之复晶矽层。图示简单说明: 第一图系显示习知静态随机存取记忆体之记忆单元的电路图。 第二A至二C图是依照本发明的一种接面式双载子可调变式电阻装置的工作原理示意图。 第三A至三D图是依照本发明一较佳实施例的一种接面式双载子可调变式电阻装置的部份制程之剖面示意图。 第四图是依照本发明一较佳实施例的一种接面式双载子可调变式电阻装置之控制电压与电阻的关系图。 |
