| 主权项 |
1.一种漂浮闸极元件,制造在一半导体基底上,包括:一穿透氧化层,覆盖在该半导体基底上;一漂浮闸极,形成于该穿透氧化层上方;一介电层,形成于该漂浮闸极上方;一控制闸极,形成于该介电层上方;以及一源极和一汲极扩散区,形成于该漂浮闸极两相对侧边下方之该半导体基底中;其特征在于:该漂浮闸极更包括:一第一复晶矽层,未掺有杂质,形成于该穿透氧化层上方;一第二复晶矽层,掺有既定浓度之杂质,形成于该第二复晶矽层上方;以及-第三复晶矽层,未掺有杂质,形成于该第二复晶矽层上方,而为该介电层覆盖。2.如申请专利范围第1项所述之漂浮闸极元件,其中,该第一复晶矽层及该第三复晶矽层之厚度并不大于该第二复晶矽层之厚度。3.如申请专利范围第1项所述之漂浮闸极元件,其中,该介电层为氧化层和氮化层所构成。4.如申请专利范围第1项所述之漂浮闸极元件,其中,该控制闸极为复晶矽材质所构成。5.如申请专利范围第1项所述之漂浮闸极元件,其中,该控制闸极为金属矽化物及复晶矽材质所构成。6.如申请专利范围第1项所述之漂浮闸极元件,更包括形成于该漂浮闸极与该控制闸极侧边之间隔物。7.如申请专利范围第6项所述之漂浮闸极元件,其中,该间隔物为氧化物。8.一种漂浮闸极元件之制造方法,适用于一半导体基底上,包括下列步骤:形成一穿透氧化层于该半导体基底上方;形成一第一导电层于该穿透氧化层上方;形成一介电层于该第一导电层上方;形成一第二导电层于该介电层上方;定义并蚀刻该第二导电层、该介电层、该第一导电层及该穿透氧化层而形成一闸极结构;以及形成源极和汲极扩散区于该闸极结构两相对侧边下方之该半导体基底中;其特征在于:该第一导电层之形成过程更包括下列步骤:形成未掺入杂质之一第一复晶矽层于该穿透氧化层上方;形成掺有杂质之一第二复晶矽层于该第一复晶矽层上方;以及形成未掺入杂质之一第三复晶矽层该第二复晶矽层上方。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该第一导电层是以沈积法形成,且该第二复晶矽层系于该沈积过程中掺入含有杂质的气体而形成。10.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该穿透氧化层是氧化该半导体基底而形成。11.如申请专利范围第8项所述之制造方法,更包括在该闸极结构侧边形成间隔物。12.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该介电层为依序形成一氧化层、一氮矽层及另一氧化层而构成。13.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该第二导电层为沈积之复晶矽所构成。14.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该第二导电层为沈积一复晶矽层及生成一金属矽化物层所构成。图示简单说明:第一图至第三图为剖面示意图,绘示习知之漂浮闸极元件制造方法;第四图至第八图为剖面示意图,绘示依照本发明一较佳实施例之漂浮闸极元件之制造方法;以及第九图为绘示一习知漂浮闸极元件与本发明漂浮闸极元件在临界电位与抹除时间关系之比较。 |
