发明名称 热处理装置控制参数之决定方法及其装置
摘要 本发明之目的:本发明系以半导体晶圆,拟作热处理装置的温度控制之场合为例,以期提供能获得其最终目的之温度控制特性,以便容易决定控制参数之调整方法及其装置为其目的。本发明之装置与其决定方法:本发明之热处理装置的温度控制参数决定方法,包含下列之步骤;即,适宜决定欲作PID控制的P、I、D各数值之步骤;依据所决定之PID值检出所加热之加热炉的温度,而取得温度检出数据之步骤;依据温度检出数据,而求出热处理装置全系统的转移函数之步骤;从热处理装置全系统的转移函数,及所适宜决定的P、I、D各值,而求出前述加热炉的转移函数之步骤;以及依据加热炉的转移函数,及实际处理时欲实现之目标转移函数,而求出实际处理时所欲使用之控制参数P、I、D的步骤。
申请公布号 TW317014 申请公布日期 1997.10.01
申请号 TW086100732 申请日期 1997.01.23
申请人 东京电子股份有限公司 发明人 菅野聪一
分类号 H01L21/324 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人 康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼;恽轶群 台北巿松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种热处理装置之温度控制参数决定方法,系要热处理被处理体的热处理装置之温度控制参数决定方法,其决定方法之过程特征在于包含有:一步骤1,系要设定热处理装置之温度控制上,所需要的温度控制参数之初期値;一步骤2,系随着初期设定之上述温度控制参数,而昇温上述热处理装置之加热炉;一步骤3,系依据前述热处理装置的加热炉之处理热的温度,而求前述热处理装置全系统的转移函数;一步骤4,系依据前述全系统的转移函数,及前述温度控制参数,而求前述加热炉之转移函数;以及一步骤5,系由前述处理装置全系统的目标转移函数,及前述加热炉之转移函数,而求于实际处理时的温度控制参数。2.如申请专利范围第1项之温度控制参数决定方法,其特征在于:一前述温度控制参数设定步骤,系将于PID控制上的P、I、D(比例因素、积分因素、微分因素)设定为前述温度控制参数。3.一种热处理装置之温度控制参数决定方法,其决定方法之过程特征包含有:一步骤1,系要适宜决定欲作PID控制之P、I、D各値;一步骤2,系依据所决定的PID値,检出所加热之加热炉的温度,而取得温度检出数据;一步骤3,系依据前述温度检出数据,而求出热处理装置全系统之转移函数;一步骤4,系由前述全系统的转移函数,及适宜决定的P、I、D各値,而求出前述加热炉的转移函数;以及一步骤5,系依据前述加热炉的转移函数,及于实际处理时欲实现之目转移函数,而求出于实际处理时所欲使用的控制参数P、I、D。4.一种热处理装置控制参数之决定装置,其构成特征在于包含有:一温度检出部,系设在欲热处理被处理体的加热炉内;一调节部,系依据从前述温度检出部所检出的温度检出値,与温度目标値之间的偏差,输出控制信号而由控制参数控制供给至前述加热炉之加热源的电力;一第1转移函数演算装置,系依据使前述加热炉昇温时的前述温度检出部之温度检出数据,而求出包含前述调节部及前述加热炉在内的全系统之转移函数;一第2转移函数演算装置,系依据由前述转移函数演算装置所求的全系统之转移函数,及欲得前述温度检出数据时所用的前述调节部之控制参数,而求出前述加热炉的转移函数;以及一控制参数演算装置,系依据由前述第2转移函数演算装置所求的加热炉之转移函数,及订定为全系统之目标转移函数,而求出于热处理时欲使用之前述调节部的控制参数。5.如申请专利范围第4项之控制参数决定装置,其构成特征含有:一控制参数演算装置,其系将欲作PID控制之P、I、D算出为控制参数;以及一调整器,该调整部系依据由前述控制参数演算装置所算出的PID,而要PID控制前述加热炉之PID调整器。6.一种热处理装置之温度控制参数决定方法,包含:一PID设定装置,其系欲适宜设定PID控制上之P、I、D各値;一加热炉,系将依据所设定之PID値,而予以加热;一温度检出装置,其系要检出前述加热炉之温度,而取得温度检出数据;一第1演算装置,系依据前述温度检出数据,而求出热处理装置全系统之转移函数;一第2演算装置,系从前述全系统之转移函数,及前述所设定之P、I、D各値,而求出前述加热炉的转移函数;以及一第3演算装置,系依据前述加热炉的转移函数,及实际处理时欲实现之目标转移函数,而求出实际处理时所欲使用之控制参数P、I、D。图示简单说明:第一图系表示含有本发明实施例的控制参数决定装置之热处理装置的概略构成图;第二图为第一图的热处理装置全系统的概略方块图;第三图表示本发明所适用的纵型热处理装置的截面图;第四图表示本发明之控制参数决定方法的流程图;第五图表示加热炉的目标温度数据及温度检出数据的特性图;第六图表示与本发明实施例有关连的回授系统之方块图。
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