| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un procédé de fabrication de transistor en couche mince, dans lequel on dépose au-dessus de la couche isolante (135) de grille (133) une couche semi-conductrice (137), une couche senti-conductrice dopée (139), et une seconde couche isolante (141). On structure la couche isolante, puis on dépose une seconde couche métallique.<BR/>En une seule étape d'attaque, on attaque une première portion (G') de la seconde couche métallique, de la couche senti-conductrice dopée, ainsi que de la seconde couche isolante sont attaquées au-dessus de l'électrode de grille, et des secondes portions (G"), latéralement distantes de l'électrode de grille, de la seconde couche métallique, de la couche semi-conductrice dopée et de la couche semi-conductrice.<BR/>On obtient ainsi un transistor en couche mince, avec un nombre d'étapes d'attaque réduit, la seconde couche isolante permettant de contrôler la vitesse d'attaque au niveau du canal.</P>
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