| 主权项 |
1.一种重力进给式流体处理系统(100),包括一流体入口(120.136)、一个流体出口(124.140)、以及一个设置在该流体入口(120.136)和该流体出口(124.140)之间之照射区(144)至少一个辐射源(180)与其一个支撑物(160),该至少一个辐射源(180)系细长的,并具有大致行行于流动通过该照射区(144)流体之方向的一纵轴,且系完全地浸于通过照射区(144)流体;其特征在于,该支撑物(160)系设置在该照射区(144)之上游或下游,且照射区(144)具有一个封闭的截面以将流体待处理局限在相距该至少一个辐射源(180)一段预定的最大距离范围之内,该封闭的截面具有一截面积系小于该流体入口(120.136)截面积。2.如申请专利范围第1项所述之流体处理系统,其中该照射区(144)系设置在一个处理区(112)之内,该处理区(112)包括一个将该流体入口(120.136)连接到该照射区(144)之过渡区,该过渡区降低该流体在该入口和该照射区(144)之间的压力损失。3.如申请专利范围第1项所述之流体处理系统,其中该照射区(144)之截面区域系小于该流体出口(124.140)之截面区域,而且该照射区(144)系设置在一个处理区(112)之内,该处理区(112)包括一个将该流体出口(124.140)连接到该照射区(144)之过渡区,该过渡区降低该流体在该出口和该照射区(144)之间的压力损失。4.如申请专利范围第2项所述之流体处理系统,其中该照射区(144)之截面区域系小于该流体入口(120.136)和该流体出口(124.140)之截面区域,该照射区(144)系设置在一个处理区(112)之内,该处理区(112)包括一个第一过渡区和一个第二过渡区,该第一过渡区将该流体入口(120、136)连接到该照射区(144),该第二过渡区将该照射区(144)连接到该流体出口(124,140),而咳第一和第二过渡区分别降低流体在该流体入口(120.136)与该照射区(144)之间的压力损失以及该照射区(144)与该流体出口(124.140)之间的压力损失。5.如申请专利范围第4项所述之流体处理系统,其中至少一个辐射源设备(176)包括至少一个紫外线灯(180)和一个支撑该紫外线灯之支撑物(160)。6.如申请专利范围第5项所述之流体处理系统,其中该辐射源设备(176)包括一个环绕每一个该至少一个紫外线灯(180)之外部的部分之套筒(184)。7.如申请专利范围第4项所述之流体处理系统,其中该纵轴大致上为垂直的,而且该第一过渡区(412)将一个流经该流体入口之大致上为水平之流体流动改变成一个流经该照射区(416)之大致上为垂直之流体流动。8.如申请专利范围第7项所述之流体处理系统,其中该第二过渡区(420)将流经该照射区(416)之大致上为垂直之流体流动改变成一个流经该流体出口(426)之大致上为水平之流体流动。9.如申请专利范围第5项所述之流体处理系统,其中该纵轴大致上为水平。10.如申请专利范围第1项所述之流体处理系统,更包括一个清洁机构(224),以将不要之物质由该至少一个辐射源设备(176)之外部移除。11.如申请专利范围第10项所述之流体处理系统,其中该清洁机构(224)包括一个环绕该至少一个辐射源设备(176)之清洁套筒(228),该清洁套筒(228)可在一个缩回位置和一个延伸位置之间移动,在该缩回位置时,该至少一个辐射源设备(176)的第1项部分系曝露在该流体流动之中,而在咳延伸位置时,该至少一个辐射源(180)之该第一部分系由该清洁套筒(228)所覆盖。12.如申请专利范围第11项所述之流体处理系统,其中该清洁套筒(228)包括一个环绕着该至少一个辐射源设备(176)之外部且与之接触之容室(240.244),该容室(240.244)被供给清洁溶液,以将不要之物质由该至少一个辐射源设备(176)之外部除去。13.如申请专利范围第12项所述之流体处理系统,其中该清洁套筒(228)包括一个设在该至少一个辐射源设备(176)之外部表面与该清洁套筒(228)之间的密封件(232.234),当咳清洁套筒(228)在咳缩回位置和该延伸位置之间移动时,该密封件(232.234)将一部分之该不要之物质由该至少一个辐射源设备(176)的外部除去。14.如申请专利范围第12项所述之流体处理系统,其中所供应之该清洁溶液系施加压力到该清洁套筒(228),而该清洁套筒(228)藉由该压力而延伸到该延伸位置。15.如申请专利范围第14项所述之流体处理系统,其中藉着将该加压之清洁溶液由该清洁套筒(228)移去,该清洁套筒(228)被拉回到该缩回位置。16.如申请专利范围第4项所述之流体处理系统,更包括一个设置在该照射区(144)之上游且延伸进入该照射区(144)之第一辐射源设备(176),以及一个设置在照射区(144)之下游且延伸进入该照射区(144)之第二辐射源设备(176)。17.如申请专利范围第1项所述之流体处理系统,其中该其中所述至少一个辐射源(180)系构成为一辐射源单位(148)之一部份,此辐射源单位(148)包括:一个支撑构件(160);至少一个由该支撑构件(160)延伸之辐射设备(176);以及一个由该支撑构件(160)延伸之导引和支撑构件(164);其中该至少一个辐射源设备(176)由该支撑构件(160)延伸之方向大致上平行于该导引和支撑构件(164),而该导引和支撑构件(164)由咳支撑构件(160)延伸而出,并具有一自由端。18.如申请专利范围第17项所述之流体处理系统,其中该导引和支撑构件(164)由该支撑构件(160)处延伸而出之程度心该至少一个辐射源(180)大。19.如申请专利范围第17项所述之流体处理系统,其中该至少一个辐射源设备(176)包括一个紫外线灯(180)。20.如申请专利范围第18项所述之流体处理系统,其中该该辐射源设备(176)更包含一个环绕着该紫外线灯(180)之套筒(184),以在该紫外线灯(180)和该流体之间提供一个绝缘沟。21.如申请专利范围第17项所述之流体处理系统,其中该支撑构件(160)包括管路构件,使一电力源(220)可经由该管路构件而提供给该辐射源设备(176)。22.如申请专利范围第19项所述之流体处理系统,其中至少有两个紫外线灯(180)被连接到每一支撑构件(160)。23.如申请专利范围第10项所述之流体处理系统,其中该清洁设备(300)包括:一个清洁套筒(308),其与该辐射源设备(176)之外部的一部分结合,并可在一个缩回位置和一个延伸位置之间延伸,其中在该缩回位置时,该辐射源设备(176)的一个第一部分被曝露在要被处理的流体流动之中,而在该延伸位置时,咳辐射源设备(176)之该第一部分系由该清洁套筒所完全或部分地覆盖,该清洁套筒(308)包括一个与该辐射源设备(176)之该第一部分接触之容室(316),该容室(316)被供给适当的清洁溶液,以将不要之物质由该第一部分移去。24.如申请专利范围第23项所述之流体处理系统,更包含至少一个设在该辐射源设备(176)之外部表面与该清洁套筒(308)之间皂密封件,当该清洁套筒(308)在该缩回位置和咳延伸位置之间移动时,该至少一个密封件将一部分不要的物质由该辐射源设备(176)之外部除去。25.如申请专利范围第23项所述之流体处理系统,其中所供应之清洁溶液系施加压力到该清洁套筒(308),而该清洁套筒(308)藉由该压力而延到该延伸位置。26.如申请专利范围第23项所述之流体处理系统,其中藉着将该加压之清洁溶液由该清洁套筒(308)移去,该清洁套筒(308)被拉回到该缩回位置。27.如申请专利范围第23项所述之流体处理系统,其中该清洁设备(300)与至少两个辐射源设备之外部的一部分结合。28.如申请专利范围第27项所述之流体处理系统,其中该清洁套筒(308)系连接到至少一个机构(312.314),以使该清洁套筒(308)在该缩回位置和该延伸位置之间移动。29.如申请专利范围第28项所述之流体处理系统,其中该至少一个使该清洁套筒移动之装置(312.314)系经由液压操作。30.如申请专利范围第28项所述之流体处理系统,其中该至少一个使该清洁套筒移动之装置(312.314)系经由气动操作。31.一种以至少一个辐射源设备(176)处理流体之方法,该辐射源设备(176)包含至少一个辐射源(180)与其一个支撑物(160),该方法包含下列步骤:(i)提供一个重力进给式流体流动到一个流体入口(120.136);(ii)将由该流体入口(120.136)而来之流体流动进给到一个包含至少一个辐射源(180)且具有一个封闭截面之支撑物(144)内;(iii)将该流体流动限制在距离该至少一个辐射源(180)一段预设的最大距离范围之内;(iv)将该流体流动曝露在该辐射源(180)之辐射之下;以及(v)将由步骤(iv)而来之流体流动进给到一个流体出口(124.140)。32.如申请专利范围第31项所述之方法,其中该流体流动在该流体入口(120.136)处有一第一流速,在该照射区(144)内有一第二流速,在该流体出口(124.140)处有一第三流速。33.如申请专利范围第32项所述之方法,其中该第二流速系大于该第一流速和该第三流速二者之中的至少一者。34.如申请专利范围第32项所述之方法,其中该第二流速系比该第一流速和该第三流速都大。35.如申请专利范围第34项所述之方法,其中该第三流速系大致上等于该第一流速。36.如申请专利范围第34项所述之方法,其中在步骤(ii)之前,该流体流动系进人到一个可增加其流速之过渡区内。37.如申请专利范围第34项所述之方法,其中在步骤(iv)之前,该流体流动系进入到一个可减低其流速之过渡区内。38.如申请专利范围第31项所述之方法,进而包括在一流体处理系统现场将污物由一辐射源设备(176)处除去之步骤,其包含下列步骤:(i)供应一清洁流体到一个清洁容至(240.244)内;(ii)将该清洁容室(240.244)移动而与该辐射源设备(176)的至少一个部分接触一段预定时间,该清洁容室(240.244)维持咳清洁流体与该部分之接触;以及(iii)在经过该段预定时间后,将该清洁容室(240.244)从与该辐射源设备(176)之部分接触之处移去。39.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该清洁容室(240.244)包括一个与该部分以滑动式结合之密封件(232、234),在该清洁容室(240.244)移动而与该部分接触和脱离时,该密封件(232.234)扫过该部分以进一步清除污物。40.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该清洁容室(240.244)同时与两个相同的辐射源设备(176)之相同部分接触。41.如申请专利范围第31项所述之流体处理系统,进而包括有一辐射感测器设备(500),其包含:一个感测器框罩(502);一个设在该框罩(502)内且具有一部位曝露在一辐射源下之辐射传送机构;一个接收由该辐射传送机构而来之辐射的辐射感测器(508);以及将弄脏该部位之物质除去之机构(532)。42.如申请专利范围第41项所述之流体处理系统,其中该将污物除去之机构包括将清洁流体喷在该部分上之喷口(532)。图示简单说明:第一图系一习用流体处理装置之侧视截面图。第二图系第一图中之习用流体处理装置之端视截面图。第三图系依据本发明之水平式流体处理系统之第一实施例的侧视截面图。第四图系一辐射源单位,其与第三图中之系统一起使用。第五图系第四图中之圆圈A之放大图。第六图介绍可与第三图中之系统一起使用之辐射源单位的另一个实施例的部分图。第七图系第六图中之圆圈B之放大图。图八系依据本发明之垂直式流体处理系统之第二实施例之侧视截面图。第九图介绍一辐射感测器设置。 |
