| 发明名称 |
Method for making bipolar transistors having indium doped base |
| 摘要 |
Indium doping is used to make bases of bipolar transistors with superior operational characteristics.
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| 申请公布号 |
US5681763(A) |
申请公布日期 |
1997.10.28 |
| 申请号 |
US19950581665 |
申请日期 |
1995.12.29 |
| 申请人 |
LUCENT TECHNOLOGIES INC. |
发明人 |
HAM, THOMAS EDWARD;KIZILYALLI, ISIK C. |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/265;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/167;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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