| 主权项 |
1.一种外延生长晶片之制法,其特征系在:包括在半导体基板上令外延生长层成长之后,将该外延生长层之表面予以研削加工而予平坦化之过程者。2.依申请专利范围第1项所述之外延生长晶片之制法,其特征系在:上述外延生长层,例如系由液相外延生长成长法所形成者。3.依申请专利范围第1项或第2项所述之外延生长晶片之制法,其特征系在:上述半导体基板及上述外延生长层,例如系由III-V族化合物半导体所构成者。4.依申请专利范围第3项所述之外延生长晶片之制法,其特征系在:上述III-V族化合物半导体,系选自GaP、GaAs及GaAlAs中之任一种者。5.依申请专利范围第1项或第2项所述之外延生长晶片之制法,其特征系在:上述研削加工,系使外延生长晶片面内之最大厚度与最小厚度之差所定义的厚度分散性,在5m以下者。图示简单说明:第一图系根据本发明方法之外延生长晶片的表面加工方法之说明图。第二图系根据本发明实施例方法之外延生长晶片的表面加工方法之说明图。第三图系红色发光元件用GaP外延生长晶片加工成台面型发光二极体的方法之说明图,II(a)系A部扩大部,II(b)系B部扩大部,III(a)系II(a)之X-X线断面图,III(b)系II(b)之Y-Y线断面图。第四图系由实施例及比较例所获得之台面型发光二极体的VF値分布之图表。第五图系由实施例及比较例所获得之台面型发光二极体的相对辉度分布之图表。 |
