| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一基底,其上形成有至少一金氧半元件,包括一闸极、一间隙壁、一源极/汲极区以及一场氧化层;(b)在表面形成一绝缘层,并定义该绝缘层的图案,形成一第一开口,露出部分该源极/汲极区;(c)在上述各层表面依序形成一第一高杂质之复晶矽层与一矽化钨层,并使该第一高杂质之复晶矽层与该矽化钨层填满该第一开口;(d)同时定义该第一高杂质之复晶矽层与该矽化钨层之图案,形成一位元线,且该位元线经由该第一开口与该源极/汲极区藕接;(e)在该绝缘层与该位元线表面依序形成一第一氧化层与一第一介电层,并经热流使该第一介电层表面平坦化;(f)在该第一介电层表面形成一氮化矽层,并定义该氮化矽层之图案,形成复数个第二开口,露出该第一介电层;(g)在该氮化矽层表面形成一第二氧化层,定义该第二氧化层之图案,同时经由该些第二开口去除该第一介电层、该第一氧化层与该绝缘层,形成复数个介层窗,露出该源极/汲极区;(h)在上述露出之表面依序形成一第二高杂质浓度之复晶矽层与半球状晶粒之复晶矽层;(i)在该半球状晶粒之复晶矽层表面形成一第二介电层,并使该第二介电层填满该些介层窗,且该第二介电层之厚度超该第二氧化层之高度;(j)去除该第二介电层、该半球状晶粒之复晶矽层与该第二高杂质浓度之复晶矽层,并以该第二氧化层为终止层;以及(k)以湿蚀刻去除该第二氧化层与该第二介电层,并以该氮化矽层为终止层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该绝缘层系以低压化学气相沈积法形成并以四乙氧基矽甲烷为反应气体形成之二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该绝缘层系经过热流处理,温度约为800℃。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(e)中之该第一氧化层系以常压化学气相沈积法形成之二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(e)中之该第一介电层系为硼磷矽玻璃。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(f)中之该些第二开口位于该源极/汲极区上方。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(g)中之该第二氧化层系以电浆化学气相沈积法形成之二氧化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(i)中之该第二介电层系为硼磷矽玻璃。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(j)中之系利用回蚀刻去除该第二介电层、该半球状晶粒之复晶矽层与该第二高杂质浓度之复晶矽层。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(j)中之系利用化学机械研磨法去除该第二介电层、该半球状晶粒之复晶矽层与该第二高杂质浓度之复晶矽层。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(k)中该湿蚀刻系利用20:1之缓冲氧化蚀刻液。图示简单说明:第一图是习知一种动态随机存取记忆体之结构剖面图;第二A-二D图是习知另一种动态随机存取记忆体的制造方法剖面流程图;以及第三A-三F图是依照本发明一较佳实施例,一种动态随机存取记忆体的制造方法剖面流程图。 |
