| 主权项 |
1.一种用以制造绝缘层上有矽(silicon-on-insulatorSOI)之装置的方法,包括步骤:准备复数个各具有大于典型晶圆厚度之厚度的晶圆,将用于后序晶圆处理制程之制程界限考虑在内;分别于各晶圆之上下表面上生成允许各晶圆被用作一SOI晶圆的氧化物膜;蚀刻生成于各晶圆之表面上将不会被使用的氧化物膜;依序地将该等晶圆叠置并结合一起;于矽的熔点温度加热该等叠置的晶圆;及切割该等叠置之晶圆的所需部份,藉此获得各具有一SOI结构的晶圆,该等结构包括各氧化物膜与形成于该氧化物膜上之矽。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中藉由考虑用于后序晶圆处理制程之制程界限而决定的各晶圆厚度范围约为1000m至1100m。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中各SOI晶圆所需的氧化物膜生成厚度范围约为0.2m至0.4m。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等叠置之晶圆上晶圆被切割的部位与晶圆的对应结合介面相隔约0.8至1.2m的距离。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中各晶圆被用作一厚度范围约为710m至740m的8英寸晶圆。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中加热叠置之晶圆的该步骤系于一范围约1400℃至1500℃的温度下进行。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中蚀刻生成于各晶圆之表面上将不会被使用的氧化物膜的该步骤系依据一湿式蚀刻制程来进行。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中蚀刻生成于各晶圆之表面上将不会被使用的氧化物膜的该步骤系依据一乾式蚀刻制程来进行。9.一种用以制造绝缘层上有矽(SOI)之装置的方法,包括步骤:于一第一矽基片上形成一氧化矽膜;于该氧化矽膜上形成一第二矽基片;氧化该第二矽基片之露出部分约90%或以下的厚度,藉此形成一场氧化物膜;于该场氧化物之下剩余的第二矽基片内形成掺杂区;于一形成该第二矽基片元件形成部位上形成一闸极氧化物膜,并于该闸极氧化物膜上形成一闸极;使用该闸极作为一光罩,将低浓度的杂质离子植入该第二矽基片的相对侧部位,藉此形成轻微掺杂区;于该闸极相对的侧壁上形成氧化物膜隔离层;及使用该闸极、该等氧化物膜隔离层及该场氧化物膜作为一光罩,将高浓度的杂质离子植入该第二矽基片,藉此形成重度掺杂区。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该场氧化物膜系藉由氧化该第二矽基片之露出部位约其厚度之50%-90%而形成。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该氧化步骤系进行至该第二矽基片剩下约100-2000A的厚度。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该掺杂区形成步骤系依据一通道阻塞植入制程来进行。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该氧化该第二矽基片的步骤系在形成一衬垫氧化物膜于形成第二矽基片之元件形成部位上并形成一氮化物膜于该衬垫氧化物膜上之后进行。14.如申请专利范围第9项所述之方法,更包括步骤:于重度掺杂区形成之后,于所获得之结果结构之整个上表面上形成一绝缘膜;选择性地去除该绝缘膜,藉此形成用于露出该闸极与该重度掺杂区的接触孔;及形成一透过该接触孔连接到该闸极与该等重度掺杂区之金属图案。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该场氧化物膜的形成系由选择性地蚀刻该第二矽基片,使该第二矽基片剩下约10%的厚度,并将一氧化物膜埋于该第二矽基片被蚀刻之区域内的步骤来替代。图示简单说明:第一图系为一剖视图,说明依据一种传统BE方法的SOI晶圆的制造;第二图系为一剖视图,说明依据一种传统方法制造的一种SOI装置;第三图系为一剖视图,说明依据一种传统的平台蚀刻方法而制造的SOIMOSFET;第四A图至第四F图系为剖视图,分别说明依据本发明之一实施例的一种SOI晶圆制造方法的依序步骤;及第五A图至第五B图系为剖视图,分别说明依据本发明之另一实施例的一种SOI晶圆制造方法的依序步骤。 |
