| 发明名称 |
Method of making two-phase buried channel planar gate CCD. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0602569(A3) |
申请公布日期 |
1997.12.29 |
| 申请号 |
EP19930119989 |
申请日期 |
1993.12.10 |
| 申请人 |
EASTMAN KODAK COMPANY |
发明人 |
STEVENS, ERIC G.;KOSMAN, STEPHEN L. |
| 分类号 |
H01L29/762;H01L21/339;H01L29/768;(IPC1-7):H01L21/339;H01L29/796 |
主分类号 |
H01L29/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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