发明名称 电阻式随机存取存储器
摘要 本发明提供一种电阻式随机存取存储器,包含基底、晶体管、下部电极、多个上部电极、可变电阻层以及限流层。晶体管设置在基底上。下部电极设置在基底上,且电性连接晶体管的一源极/漏极。多个上部电极设置在下部电极上。多个可变电阻层分别设置在下部电极及多个上部电极之间。多个限流层分别设置在可变电阻层及多个上部电极之间。通过并联多条导电丝状物在一个晶体管上的方式,改善其在高温环境下从电流判读0与1信号困难的问题,同时也能节省其所占基底面积。
申请公布号 CN106206940A 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201510534466.4 申请日期 2015.08.27
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 陈达;王炳琨;廖绍憬
分类号 H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I 主分类号 H01L45/00(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 马雯雯;臧建明
主权项 一种电阻式随机存取存储器,其特征在于,包含:一基底;一晶体管,设置在所述基底上;一下部电极,设置在所述基底上,且与所述晶体管的一源极/漏极电性连接;多个上部电极,设置在所述下部电极上;多个可变电阻层,分别设置在所述下部电极及所述上部电极之间;以及多个限流层,分别设置在所述可变电阻层及所述上部电极之间。
地址 中国台湾台中市大雅区科雅一路8号