| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含形成于半导体基材上之多个电晶体且金属互连层与至少一电晶体相连,其特征在于:金属互连层是以单层或多层所组成,此单层或多层中至少有一层是以铜或铜合金所形成,且其完全或部份的经障壁层系与至少一电晶体相连;并利用金属互连层形成后之选择性离子布植对至少一电晶体之临界电压进行控制。2.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中:障壁层是以钽之化合物、钛之化合物或钨之化合物所组成。3.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中矽化层是形成于障壁层与至少一电晶体间。4.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中金属互连层具有接触部份及互连部份。5.一种制造半导体装置之方法,其特征在于包含以下之步骤:(i)于半导体基材上形成多个电晶体;(ii)于包含电晶体之合成基材上形成绝缘膜,并后续于绝缘膜所需之区域中形成接触孔及互连沟槽;(iii)于接触孔及互连沟槽中形成障壁层,并后续以铜或铜合金将接触孔及互连沟槽填满而于障壁层上形成金属互连层;(iv)对此等具多个电晶体制造物中至少一个施以选择性离子布植以控制其临界电压;及(v)将基材进行退火处理以使其活化。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中:矽化层乃于步骤(ii)执行后步骤(iii)执行前形成。7.根据申请专利范围第5项之方法,其中:障壁层是以钽之化合物、钛之化合物或钨之化合物所组成。图示简单说明:第一图为示意之横截面图,其示出根据本发明半导体装置中之范例性遮蔽ROM;第二图为示意之横截面图,其示出根据本发明之遮蔽ROM中范例性之金属互连层的主要部份;第三图为示意之横截面图,其示出根据本发明之遮蔽ROM中另范例性之金属互连层的主要部份;第四图为示意之横截面图,其进一步的示出根据本发明之遮蔽ROM中另一范例性金属互连层之的主要部份;第五图为示意之横截面图,其更进一步的示出根据本发明之遮蔽ROM中另一范例性金属互连层之的主要部份;第六图为示意之横截面图,其示出另一根据本发明半导体装置中之范例性遮蔽ROM;第七图为示意之横截面图,其示出先前技艺中遮蔽ROM之制造方法;及第八(a)至八(d)为横截面图,其示出另一先前技艺中遮蔽ROM之制造方法。 |
