| 主权项 |
1.一种制备用于烯类聚合反应的非均相触媒的方法,此触媒包括附于无机氧化性载体上的至少一种选自锆及铪之IVa族金属化合物,此方法包括:a)汽化至少一种固体IVa族金属卤化物;b)将所述金属卤化物蒸气导入一反应槽,其中所述之蒸气与所述之载体于250至500℃下反应,使所述之金属卤化物与所述之载体键结;c)将未与所述之载体键结的金属化合物与所述之金属卤化物和所述之载体反应后得到的气态挥发性产物,自所述之反应槽中移出;以及d)选择性地以有机铝化物处理所述之金属卤化物和所述之载体反应后的产物,以增加所述之触媒的催化活性。2.如申请专利范围第1项的方法,其中采用另一个IVa族金属化合物的卤化物重复步骤a)至c)至少一次。3.如申请专利范围第1项的方法,其中自所述之金属卤化物与所述之载体反应所得之产物以钛化合物处理,以调整所述触媒之催化活性。4.如申请专利范围第1项的方法,其中所述之IVa族金属卤化物乃自锆及铪之氯化物溴化物中选出。5.如申请专利范围第4项的方法,其中所述锆的氯化物为ZrCl4。6.如申请专利范围第4项的方法,其中铪的氯化物为HfCl4。7.如申请专利范围第1项的方法,其中使用矽石载体,而且步骤b)在250至350℃下进行,以制造在矽石载体上含有不定形IVa 族金属化合物之触媒。8.如申请专利范围第1项的方法,其中所述IVa族金属卤化物的蒸气压必须维持足够高,且与所述载体物质间的反应时间必须足够长,以使得所述载体,有至少和可用的键结位置的数量相等的所述的金属卤化物。9.如申请专利范围第1项的方法,其中在步骤a)之前,所述之载体与铝化合物反应以改质所述载体的表面。10.如申请专利范围第1项的方法,其中在步骤c)之后,所述之触媒以下列化合物,TMA,TEA,TIBA,DEA,MAO和DEALOX 中之一前活化,以增加其活性。11.如申请专利范围第10项的方法,其中前活化在液态中进行。12.如申请专利范围第1项的方法,其中在步骤c)中,所述之反应槽需通入氮气。13.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤b)在260至320℃的温度下进行。14.一种非均相触媒,其系由如申请专利范围第1项的方法所制成,其中:所述的IVa族金属化合物为不定形,且具有化学式ZrYx,其中Y为卤素且X为2或3 ;所述之载体为矽石或氧化铝中之一的化合物;而且所述之触媒在至少500kPa的压力下,催化乙烯的纯体或共聚合化,产生的聚乙烯有一宽广的分子量分布。15.如申请专利范围第14项的触媒,更包括了选自TMA,TEA,TIBA,DEA,MAO和DEALOX 中之一的铝烷基化合物。16.如申请专利范围第14项的触媒,更包括了至少一种钛化合物。17.一种为制造具广分子量分布的聚合物的烯类聚合化方法,包括在浆状物或是气态下,在一或多个聚合反应器中,烯类单体或混合物在其中,于至500 kPa的增压条件下,与在固体无机氧化性载体上含有至少一种IVa 族金属化合物的非均相触媒的接触,其中所述之IVa 族化合物为Zr或Hf化合物,其于气态下,附于所述之载体上。18.如申请专利范围第17项的方法,其中所述的聚合化在至少10kPa的氢气分压下进行。19.如申请专利范围第17或第18项的方法,其中的共触媒与所述之触媒可分别或同时加入聚合化反应器中。20.如申请专利范围第19项的方法,其中所述之共触媒由TMA,TEA,TIBA,DEA,MAO和 DEALOX 中选出。21.如申请专利范围第17项的方法,其中所述的烯类单体为乙烯,所述的聚合物为具有双型分子量分布的聚乙烯。图示简单说明:第一图和第二图显示ZrCl4的键结是载体预热温度的函数。第三图显示触媒的活性是Al/Zr的莫耳比的函数。第四图指出当矽石预热至300℃后,在175-300℃下,以TiCl4作前处理后,Zr浓度的改变。第五图显示ZrCl4/矽石触媒在不同温度处理下的XRD 型式和第六图显示了利用二种不同的氢气/乙烯比在氧化矽上含ZrCl4的触媒系统中产生的PE的分子量分布情形。 |
