发明名称 반도체 다이 본드 공정용 고온 공기 분사기
摘要 <p>본 고안은 공기 분사기의 연결관 내부에 히팅 코일이 설치되어 히팅 코일에 의해 약 400℃로 가열된 공기가 로워 본드 헤드 상에 먼지 또는 칩가루등의 이물질에 분사됨으로써로워 본드 헤드의 온도 강하와 동시에 리드 프레임에 접착된 칩의 접착력이 약화되는 것을 방지하여 이물질을 효율적으로 제거할 수 있는 등의 많은 장점이 구비된 것이다. 이를 위해, 본 고안은 지지판(2)에 체결되는 지지 부재(4)가 설치된 연결관(1)에 교류 전원에 연결되어 분사구(7)를 통해 로워 본드 헤드(5)상의 이물질을 제거하기 위한 공기를 가열시키는 히팅 코일(6)이 내장된 반도체 다이 본드 공정용 고온 공기 분사기이다.</p>
申请公布号 KR19980018460(U) 申请公布日期 1998.07.06
申请号 KR19960031872U 申请日期 1996.09.30
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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