| 主权项 |
1.一种电浆处理装置,系对被处理体使用电浆施以处理之装置,具备有:气密之处理容器;载置台,为了用以支持配设于前述处理容器之前述被处理体;排气系统,用以排气前述处理容器,同时将前述处理容器内设定成真空;处理气体供应系统,用以供应处理气体到前述处理容器内,该前述处理气体系随着其解离之进行提供不同活性种;电场产生系统,用以将前述处理气体通过高频率放电做成电浆之高频率感应电场,产生于前述处理容器内;及限制装备,用以限制前述电浆之表面深度领域内之电子的平均自由行程;而前述限制装备,用以变更前述电浆之表面深度领域内之电子能源分布使在前述处理中之前述处理气体之解离状态,对任意之处理条件成为最适当。2.如申请专利范围第1项之装置,其中前述限制装备,系用以抑制前述处理气体之解离进行,在前述表面深度领域内使低能源电子之密度降低。3.如申请专利范围第2项之装置,其中前述限制装备,系具备有障壁,配设成使前述表面深度领域内之电子能冲突。4.如申请专利范围第3项之装置,其中前述障壁,系具有对前述表面深度领域内之电子的支配运动方向略呈直角之宽广面。5.如申请专利范围第4项之装置,其中前述电场产生系统,具备有:高频率电源;及天线,由前述电源供应电力,在前述处理容内器内,形成前述高频率感应电场。6.如申请专利范围第5项之装置,其中前述天线,具备有圆筒形线圈天线,配设于前述处理容器之侧壁的周围,而前述障壁,系配置成由前述侧壁突出于前述表面深度领域。7.如申请专利范围第5项之装置,其中前述天线,具备有平面型之天线,系配设于前述处理容器之顶板上,而前述障壁,系配置成由前述顶板突出于前述表面深度领域。8.如申请专利范围第5项之装置,具备有静电遮护板,配设于前述天线与前述障壁之间。9.如申请专利范围第4项之装置,具备有阻碍板,配设于前述障壁之前端,用以抑制朝向前述电浆之中心侧之电子量。10.如申请专利范围第9项之装置,其中前述阻碍板,具有对前述表面深度领域内之电子的支配运动方向略呈平行之宽广面。11.如申请专利范围第3项之装置,其中前述障壁系由绝缘体所构成。12.如申请专利范围第3项之装置,其中前述障壁系由导电体所构成,且前述障壁由直流电源附与电位。13.如申请专利范围第3项之装置,具备有温度调整装备,用以调整前述障壁之温度。14.如申请专利范围第1项之装置,其中前述处理气体系具备不活性气体及反应性气体,且前述处理气体供应系统,具备有:用以供应前述不活性气体至前述表面深度领域之装备;及,用以直接导入前述反应性气体至前述电浆内之前述表面深度领域以外的部分之装备。15.一种电浆处理装置,系对被处理体使用电浆施以腐刻之装置,具备有:气密之处理容器;载置台,用以支持配设于前述处理容器之前述被处理体;排气系统,用以排气前述处理容器,同时将前述处理容器内设定成真空;处理气体供应系统,用以供应包含反应性气体之处理气体到前述处理容器内,该前述反应性气体系随着其解离之进行提供不同活性种;电场产生系统,用以将前述处理气体通过高频率放电做成电浆之高频率感应电场,产生于前述处理容器内;及限制装备,用以限制前述电浆之表面深度领域内之电子的平均自由行程;而前述限制装备,用以变更前述电浆之表面深度领域内之电子能源分布使在前述腐刻中之前述反应性气体之解离状态对任意之处理条件成为最适当。16.如申请专利范围第15项之装置,其中前述被处理体具备不同之第1及第2层,而前述处理条件系对前述第2层之前述第1层之腐刻选择比。17.如申请专利范围第16项之装置,其中前述限制装备,系用以抑制前述反应性气体之解离进行,在前述表面深度领域内,使低能源电子之密度降低。18.如申请专利范围第17项之装置,其中前述限制装备,系具备有障壁,配置成使前述表面深度领域内之电子冲突。19.如申请专利范围第18项之装置,其中前述障壁,具有对前述表面深度领域内之电子的支配运动方向具有扩大为略呈直角之宽广面。20.如申请专利范围第15项之装置,其中前述处理气体具备不活性气体,且前述处理气体供应系统,具备有:用以供应前述不活性气体至前述表面深度领域之装备;及,用以直接导入前述反应性气体至前述电浆内之前述表面深度领域以外的部分之装备。图式简单说明:第1图系显示有关本发明之实施形态电浆处理装置之电浆腐刻装置的构成图。第2图系显示将第1图所示装置之顶板的水平剖面以模式的图。第3图系显示高能源电子之能源降低制程图。第4图系显示在第1图所示装置配设静电遮护板之构造的部分构成图。第5图系显示第4图所示静电遮护板之斜视图。第6图系显示以导电体形成障壁时之安装状态的部分构成图。第7图系显示第6图所示之障壁斜视图。第8图系显示在前端配设阻碍板之障壁平面图。第9图系显示在上部电极外加高频率电力时之上部电极的构造图。第1OA-C系显示高频率感应装备之电路构成例的电路图。第11图系显示有关本发明之其他实施形态,做为高频率感应装备使用平面型之天线的电浆腐刻装置之构成图。第12图系显示第11图所示装置之天线及障壁的关系平面构成图。第13图系显示多极磁铁构成图。第14图系显示有关本发明其他实施形态,做为高频率感应装备使用放射状之天线的电浆腐刻装置构成图。第15图系显示第14图所示装置之天线及障壁的关系平面构成图。第16图系显示平行平板方式之电浆处理装置及感应结合方式之电浆处理装置的反应性气体之解离状态曲线图。第17图系显示先前之感应结合方式之电浆处理装置中,生成之高密度电浆中之电子能源分布概略图。 |
