| 主权项 |
1.一种形成自我校准之隆起源极/汲极MOS装置之方法,包括:在半导体基板上形成区分场氧化区域之侧壁,在相对的场氧化区域之间沈积闸极,所述闸极在基板上具有一闸极介电质,且在闸极介电质上有一闸极电极,在所述闸极和一场氧化区域之间的基板内形成一源极,且在闸极的另一边和另一场氧化区域之间形成一汲极,在闸极的两边形成一介电质侧壁,在基板上沈积一均匀的金属层以接触源极,汲极和闸电极,平坦化金属层以曝露该介电质侧壁,用来隔绝接触闸极之金属和接触源极和汲极之金属,并对源极,闸极和汲极提供欧姆接触,每一个欧姆接触相当于其它欧姆接触之同阶。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,所述金属为钨,该源极和汲极欧姆接触延伸到整个场氧化区域部份的边上,并在所述欧姆接触上沈积一介电质层。3.如申请专利范围第2项之方法,其特征在于形成一外在金属连接穿过所述介电质层到源极,和与所述闸极介电质,和所述介电质侧壁和所述包括二氧化矽之介电层之汲极欧姆接触,其中系以化学气相沈积完成沈积金属层。4.如申请专利范围第3项之方法,其中所述金属层之厚度约为2500-3500埃,其中系以化学机械制程将金属层平坦化,所述平坦化所述金属层之后的较佳厚度约为1000至2000埃。5.如申请专利范围第1项至第4项其中任何一项之方法,其中所述闸电极包括:聚矽,且较佳的聚矽闸电极厚度约为800至1200埃。6.一种形成自我校准之隆起源极/汲极MOS装置之制程,包括:一半导体基板,包含由侧壁子分开场氧化区域之间的活性区域沈积,和包含闸极通道区域,其包括在基板上有一闸极介电质表面,和在所述闸极通道区域之另一面上沈积有源极和汲极区域,在所述闸极介电质表面上形成一聚矽层,植入第一种类之杂质到聚矽层,并通过所述聚矽层到所述基板,而使得在所述源极和汲极区域之间藉由沈积形成浅埋藏通道,在所述聚矽层上沈积一氮化矽层,选择性的移走部份氮化矽和在源极和汲极区域上的聚矽层,因而定义氮化矽之闸极堆叠结构和在闸极通道上的聚矽层,植入第二种类之杂质到所述源极和汲极区域,因而形成一源极和一汲极,沈积第一绝缘层在所述源极和汲极和所述闸极通道区域上,选择性的移走在源极和汲极和闸极区域氮化矽层上部份的第一绝缘层,在所述聚矽层的两边留下绝缘侧壁子,使得形成侧壁封装闸极,移走在闸极聚矽层上的氮化矽层,在源极,汲极,闸极聚矽层,和绝缘侧壁子上沈积一钨层,平坦化该钨层,藉由曝露该侧壁子绝缘层,且形成一具有平的上表面之平坦化钨层,所述该层包括一具有与所述闸极聚矽层接触之较低面之第一部份,经由所述曝露绝缘侧壁子使平坦化钨层与其所平坦化钨层相邻部份做电性隔绝,选择性的移走在所述场氧化区域上的部份平坦化钨层,以形成所述平坦化钨属之第二和第三部份,每一个所述第二和第三部份与第一部份做电性隔绝,且其每一个分别具有与所述源极和所述汲极接触之较低面,该平坦化钨属之第一,第二,和第三部份的上表面包含一共平面。7.如申请专利范围第6项之制程,其中,平坦化钨层之第二和第三部份延伸到部份场氧化区域上的边上,并且,在平坦化钨层的第一,第二和第三部份上沈积第二绝缘层,接下来选择性的移走来自在闸极区域上源极,汲极和氮化矽层上之绝缘层,并植入第三种类杂质到所述源极和所述汲极。8.如申请专利范围第7项之制程,其特性在于经由形成一外在金属连接,通过第二绝缘层到达所述平坦化钨层第二和第三部份的上表面,其中,移走利用反应离子蚀刻技术制造光阻闸极图案所曝露的部份氮化矽层。9.如申请专利范围第8项之制程,其中,利用氮化矽与磷酸之反应完成移走在闸极聚矽层上的氮化矽层,利用化学气相沈积完成沈积钨层,且较佳的沈积钨层厚度,约为2500至3500埃左右。10.如申请专利范围第9项之制程,其中平坦化钨属之第二和第三部份的上表面和下表面具有宽度尺寸,所述第二和第三部份的上表面宽度对下表面宽度之比率从约2:1到4:1,且其所述每一个第二和第三部份之上表面宽度约为400至2000埃,其所述部份的下表面宽度约为200至600埃,其中,所述第一绝缘层厚度约为1500至3500埃,所述第二绝缘层厚度约为1500至3500埃左右。图式简单说明:第一图系为习知MOS装置之横截面图。第二图A-第二图F系为描述本发明制程之横截面示意图。第三图系为本发明隆起之源极/汲极MOS装置横截面图。第四图系为习知装置和新发明装置之比较模拟电容値曲线图。 |
