| 主权项 |
1.一种对单一电晶体型铁电记忆体写入资料的方法,该单一电晶体型铁电记忆体具有复数个相互平行线条状pnp或npn结构的单晶半导体薄膜形成在一绝缘基底之行(column)中,接着,一铁电薄膜沈积在其上面,用来至少覆盖此半导体线条结构,以及复数个相互平行线条状传导电极沉积在铁电薄膜的上面,沉积之方向是以近似垂直于复数个线条状半导体薄膜的方向,且电晶体系形成在半导体线条与线条状传导电极的交叉点上,作为个别的单一记忆体晶胞;于是,当写入电压为V,此线条状传导电极是列电极(Row Electrodes),而半导体线条是行电极(ColumnElectrodes)时,该写入方法包括基于V/3准则的一第一程序与一接续的第二程序,其中:在第一程序中,若是+V的电压被加到被选中的晶胞的列电极,同时零电压被加到被选中的晶胞的行电极,且+V/3的电压被加到其它的列电极,以及+(2/3)V电压被加到其它的行电极,那麽在第二程序中,则是零电压被加到被选中的晶胞的列电极,同时+V/3的电压被加到被选中的晶胞的行电极,且+V/3的电压被加到其它的列电极,零电压被加到其它的行电极;以及在第一程序中,若是-V的电压被加到被选到的晶胞的列电极,同时零电压被加到被选到的晶胞的行电极,且-V/3的电压被加到其它的列电极,-(2/3)V电压被加到其它的行电极,那麽在第二程序中,则是零电压被加到被选到的晶胞的列电极,同时-V/3电压被加到被选到的晶胞的行电极,且-V/3的电压被加到其它的列电极,零电压被加到其它的行电极。2.如申请专利范围第1项所述之对单一电晶体型铁电记忆体写入资料的方法,其中该单晶半导体薄膜是矽晶薄膜。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之对单一电晶体型铁电记忆体写入资料的方法,其中该线条状传导电极是一线条状金属电极。图式简单说明:第一图A绘示的是根据本发明之单一电晶体型铁电记忆体的结构之横断面示意图;第一图B绘示的是根据本发明之单一电晶体型铁电记忆体的结构之平面示意图;第二图A绘示的是根据本发明之单一电晶体型铁电记忆体写入资料的方法之第一程序示意图;第二图B绘示的是根据不发明之单一电晶体型铁电记忆体写入资料的方法之第二程序示意图;第三图是实验样本图,绘示一铁电薄膜(SrBi2Ta2O9)在加上各种脉波时,极性变化的示意图;第四图绘示的是第三图所用的铁电薄膜(SrBi2Ta2O9)之电压与极性的磁滞现象之示意图;以及第五图绘示的是根据本发明之单一电晶体型铁电记忆体之等效电路示意图。 |
