| 主权项 |
1.一种半导体记忆装置之写入路径控制方法,包括下列步骤:经由连接至一对资料输入/输出(I/O)线的感测放大器感测并放大来自复数记忆单元的资料;藉由与该对资料I/O线连接的资料线驱动器写入该资料;以及藉由一位址传输侦测器侦测一位址传输而执行读取或写入运作,其中该位址传输侦测器只有在写入周期中被致能以便控制将该资料写入该等记忆单元的时间。2.一种半导体记忆装置之写入路径控制方法,包括下列步骤:经由连接至一对资料输入/输出(I/O)线的感测放大器感测并放大来自复数记忆单元的资料;藉由与该对资料I/O线连接的资料线驱动器写入该资料;以及藉由一位址传输侦测器侦测一位址传输而执行读取或写入运作,其中该位址传输侦测器只有在写入周期中被致能以便做为该资料线驱动器之控制讯号。3.一种半导体记忆装置之写入路径控制方法,包括下列步骤:经由连接至一对资料输入/输出(I/O)线的感测放大器感测并放大来自复数记忆单元的资料;藉由与该对资料I/O线连接的资料线驱动器写入该资料;以及藉由一位址传输侦测器侦测一位址传输而执行读取或写入运作,其中该位址传输侦测器只有在写入周期的负状况下的位址设定时间被致能,以便做为该资料线驱动器之控制讯号。图式简单说明:第一图系习知动态RAM的资料路径方块图;第二图A系习知写入驱动器之细部方块图;第二图B系习知输入/输出(I/O)感测放大器及微分电压感测放大器的方块图;第三图系习知技术的写入运作时序图;第四图A系习知位址传输脉波(ATP)产生器之细部电路图;第四图B系习知位址传输讯号产生器之细部电路图;第五图系本发明写入驱动器致能讯号产生器之一较佳实施例细部电路图;以及第六图系本发明写入运作之时序图。 |
