| 主权项 |
1.一种SOI基底制程,包括下列步骤:在至少有多孔单晶矽区之单晶矽基底的多孔单晶矽区表面上形成非多孔单晶矽区;经由绝缘区将支持基底接到非多孔单晶矽区表面;除去多孔单晶矽区;其中除去多孔单晶矽区的步骤包括进行多孔单晶矽区的蚀刻率大于非多孔单晶矽区之乾蚀刻的步骤。2.如申请专利范围第1项的SOI基底制程,其中除去多孔单晶矽区的步骤是从内部蚀刻多孔区的步骤,使得导自至少电或光能之分解的活化基种侵入多孔区的孔而从内部蚀刻多孔区。3.如申请专利范围第1项的SOI基底制程,其中除去多孔单晶矽区的步骤包括加热或振动蚀刻基底的步骤。4.一种SOI基底制造装置,包括:进行接合步骤的室,将由阳极化使矽单晶基底表面层多孔并在多孔表面上磊晶生长矽单晶薄膜层所得的第一基底接到在紧黏适当环境之表面有SiO2的第二基底;进行退火步骤的室,加强接合之基底的黏力;进行第一选择性乾蚀刻步骤的室,除去紧黏之第一基底的非多孔单晶基底部;进行第二选择性乾蚀刻步骤的室,除去多孔矽部;其中所有室连成从外部环境关闭,因此组成直列式装置。5.如申请专利范围第4项的SOI基底制造装置,其中进行第一选择性乾蚀刻步骤的室和进行第二选择性乾蚀刻的室由真空抽空装置保持在真空环境。6.如申请专利范围第4项的SOI基底制造装置,其中进行接合步骤的室设成如下结构:含O原子和H原子以在接合表面适当形成OH键的气体可引入该室,该室分成由光或电能激活接合表面的区和可从接合表面抽成高真空以消除杂质和污染的区。7.如申请专利范围第4项的SOI基底制造装置,其中进行第一选择性乾蚀刻步骤的室是反应离子蚀刻室,具有可供应高频功率以游离电容耦合电浆形式之气体分子的电浆。8.如申请专利范围第7项的SOI基底制造装置,其中反应离子蚀刻室具有可施加DC电场以促进离子表面反应的机构。9.如申请专利范围第7项的SOI基底制造装置,其中反应离子蚀刻室具有根据当多孔矽部在整个表面露出时之自偏压改变判定蚀刻终点的构件。10.如申请专利范围第4项的SOI基底制造装置其中进行第二选择性乾蚀刻步骤的室是基蚀刻室,分成将光或电能施于气体分子以分解气体分子而形成其基的区和基运输并侵入蚀刻基底多孔层以从内部蚀刻的区。11.如申请专利范围第10项的SOI基底制造装置,其中基蚀刻室具有基底加热机构以促进基扩散到多孔一层的孔。12.如申请专利范围第10项的SOI基底制造装置,其中基蚀刻室具有基底振动机构以促进基扩散到多孔层的孔。图式简单说明:第一图A、第一图B、第一图C、第一图D、第一图E、第一图F是解释本发明之实施例和第一例之步骤的剖面图;第二图A、第二图B、第二图C、第二图D、第二图E、第二图F是解释本发明第二例之步骤的剖面图;第三图A、第三图B、第三图C、第三图D、第三图E、第三图F是解释本发明第三例之步骤的剖面图;第四图A、第四图B、第四图C、第四图D、第四图E、第四图F是解释本发明第四例之步骤的剖面图;第五图是解释本发明第五例之制造装置的剖面图;第六图A和第六图B是使矽基底多孔之装置的剖面图。 |
