复合式玻璃封装PN接面型半导体晶粒制法

摘要

本发明系关于一种复合式玻璃封装ＰＮ接面型半导体晶粒制法，尤指一种改良传统单片玻璃封装之晶粒而为一种可令蚀刻深度加深以及供填入绝缘玻璃层而赋予晶粒更良好保护与可达到承受更高逆向电压者，其制法主要为将已扩散晶片焊接结合至少一片的矽晶片，然后经光阻液法及强酸蚀刻、填入玻璃、烧结、表面电镀以及切割而制成，于制程期间，由于焊接结合有矽晶片做为支撑之故，可在强酸蚀刻之过程可蚀刻至较深的深度，于填入玻璃与经烧结过程后，使各晶粒边缘呈较佳的绝缘保护，达到提升晶粒的逆向耐压，并同时可降低破片率问题者。

主权项

1.一种复合式玻璃封装PN接面型半导体晶粒制法,包括:-令矽晶片透过硼、磷掺杂扩散而形成P型半导体、N型半导体及PN接面之形成已扩散晶片的步骤;-运用金属合金将前述已扩散晶片与至少一片矽晶片相互叠接成一体之步骤;-披覆光阻液/光罩曝光/显影/强酸蚀刻,而在已扩散晶片表面形成可达已扩散晶片厚度百分之六十以上的图案凹沟之步骤;-填入玻璃于图案凹沟以及烧结,而使内部各晶片侧壁为被硬化之绝缘玻璃层填满的步骤;一为在已扩散晶片表面进行电镀形成导线及接触区之步骤;及为沿着已扩散晶片的切割道进行切割而形成多数复合式玻璃封装PN接面型半导体晶粒;据以构成一种可使位在侧壁之绝缘玻璃层覆盖深度增加之提高逆向耐压及可降低破片率之复合式PN接面型半导体晶粒。2.如申请专利范围第1项所述之复合式玻璃封装PN接面型半导体晶粒制法,其中该矽晶片为呈极低阻抗者。3.如申请专利范围第2项所述之复合式玻璃封装PN接面型半导体晶粒制法,其中该矽晶片之阻抗约在0.001欧姆左右者。4.如申请专利范围第1项所述之复合式玻璃封装PN接面型半导体晶粒制法,其中该绝缘玻璃层向下延伸的深度可达已扩散晶片厚度的百分之百者。图式简单说明:第一图(A)-第一图(G):系本发明之制法流程示意图。第二图:系本发明之制法流程方块图。第三图:系习知玻璃封装PN接面型半导体晶粒剖面图。第四图:系习知玻璃封装半导体于不同深度位置之逆向耐压等压线之剖面示意图。