| 主权项 |
1.一种在无任何毒性含量之二氧化锗或金属锗之存在下制造有机锗的方法,其特征为该方法包含:自四氯化锗制得粗制反应产物形态的3-三氯锗丙酸;自反应产物的水解制得反应产物形态的丙烯酸锗;自丙烯酸锗之酸化作用制得反应产物形态的羧乙基倍半氧化锗。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,3-三氯锗丙酸被施以真空蒸馏。3.如申请专利范围第1项之方法,其中,酸化步骤是以缓慢地加入浓硫酸行之。4.一种在无任何毒性含量之二氧化锗或金属锗之存在下制造有机锗的方法,其特征为该方法包含:将四氯化锗、丙烯酸及四甲基二矽氧烷反应以制得第一混合物中的第一反应产物;自第一混合物移除挥发份而制得第二混合物;将第二混合物与不少于有效量之氢氯酸反应而制得主要包含3-三氯锗丙酸及氢氯酸之第三混合物;利用有机溶剂的萃取自第三混合物中的氢氯酸分离出3-三氯锗丙酸而制得第四混合物;自第四混合物移除萃取溶剂而制得反应产物3-三氯锗丙酸;将反应产物3-三氯锗丙酸水解于氢氧化铵而制得第五混合物;以缓慢加入浓硫酸的方式使第五混合物反应而制得羧乙基倍半氧化锗。5.一种在无二氧化锗或金属锗存在之条件下制造纯有机锗的方法,其特征为该方法包含:自不含二氧化锗或金属锗之材料制得粗制反应产物形态的3-三氯锗丙酸;自3-三氯锗丙酸的水解作用制得反应产物形态的羧乙基倍半氧化锗。6.如申请专利范围第5项之方法,其中,该材料包含四氯化锗、丙烯酸及四甲基二矽氧烷。7.如申请专利范围第4项之方法,其中,使用过量之反应物与四氯化锗作用的目的系用以确保四氯化锗的完全反应。8.如申请专利范围第4项之方法,其中,挥发份包括未反应之四氯化锗并且挥发份是利用真空蒸馏移除以确保所有未反应之四氯化锗均得以去除。9.如申请专利范围第4项之方法,其中,第一混合物中的二氧化锗在与氢氯酸的反应中被转化为四氯化锗。10.如申请专利范围第9项之方法,其中,使用过量氢氯酸的目的系用以确保二氧化锗均已转化为四氯化锗。11.如申请专利范围第4项之方法,其中,有机溶剂为二氯甲烷。12.如申请专利范围第11项之方法,其中,蒸取用溶剂是藉真空蒸馏移除。13.如申请专利范围第11项之方法,其中,就第四混合物是否含任何固态二氧化锗一事实施观察。14.如申请专利范围第4项之方法,其中,第四混合物中的萃取溶剂被认为可能包含四氯化锗并且萃取溶剂是利用真空蒸馏移除以确保四氯化锗均已去除。 |
