主权项 |
1.一种导电性聚矽氧组合物,其包含:(A)100重量份数之有机聚矽氧烷,其包含(a)5-95重量%丙烯酸官能基有机聚矽氧烷,其每分子具有平均至少两个矽结合之丙烯酸基,具有下式:其中R1与R2为氢原子或单价烃基,且R3为具有1-10个碳原子之二价烃基;与(b)95-5重量%含有烯基之有机聚矽氧烷,其每分子具有平均至少两个矽结合之烯基;(B)含有矽结合之氢原子之有机聚矽氧烷,其每分子具有平均至少两个矽结合之氢原子,以在成份(b)中每莫耳矽结合之烯基计,其系以足量在成份(B)中提供0.5至20莫耳矽结合之氢原子;(C)50-2,000重量份数之导电性填料;(D)0.1-20重量份数之光敏化剂;及(E)铂触媒,其量足以使导电性聚矽氧组合物熟化。2.一种导电性聚矽氧组合物,其包含:(A')100重量份数含烯基之有机聚矽氧烷,其每分子具有平均至少两个矽结合之烯基;(B')含有矽结合之氢原子之有机聚矽氧烷,其每分子具有平均至少两个矽结合之氢原子;以在成份(A')中每莫耳矽结合之烯基计,其量足以在成份(B')中提供0.5-20莫耳矽结合之氢原子;(C)50-2,000重量份数之导电性填料;(D)0.1-20重量份数之光敏化剂;及(E)铂触媒,其量足以使导电性聚矽氧组合物熟化;其中至少一种选自成份(A')与(B')之成份,每分子含有平均至少两个矽结合之丙烯酸基,其具有下式:其中R1与R2为氢原子或单价烃基,且R3为具有1-10个碳原子之二价烃基。3.一种制造半导体装置之方法,其包括以下步骤:使用根据申请专利范围第1或2项之导电性聚矽氧组合物,使半导体晶片装载在基材上;以高能量光束照射该组合物,以诱发丙烯酸基之自由基反应;然后使该组合物经由氢矽烷化反应而熟化。4.一种制造半导体装置之方法,其包括以下步骤:使用根据申请专利范围第3项之产物,使半导体晶片装载在基材上;以高能量光束照射该产物,以诱发丙烯酸基之自由基反应;然后使该产物经由氢矽烷化反应而熟化。5.一种半导体装置,其系藉由根据申请专利范围第4项之方法所制成。图式简单说明:第一图为本发明半导体装置之截面图,其将使用于实例中。第二图为根据本发明另一种半导体装置之截面图,其将在实例中证实。 |