| 主权项 |
1.一种半导体镜面晶圆之制造方法,系针对在半导体镜面晶圆之制造工程中的研磨工程中,包含:对晶圆的两面进行1次镜面研磨之两面1次镜面研磨;及对两面经1次镜面研磨后之晶圆的一面,进行低辉度化研磨的背面低辉度化研磨;以及将一面经低辉度化研磨后之晶圆的剩下来的另一面,进行加工镜面研磨之表面加工镜面研磨的半导体镜面晶圆之制造方法,其特征在于:在上述背面低辉度化研磨中所使用的研磨剂,系使用主要成分为含二氧化矽研磨剂,而添加了聚烯烃系微粒材料而成之半导体晶圆研磨用研磨剂。2.一种半导体镜面晶圆之制造方法,系针对在半导体镜面晶圆之制造过程中的研磨工程中,包含:对晶圆的两面进行低辉度化研磨之两面低辉度化研磨,以及将两面经低辉度化研磨之晶圆的一面进行加工镜面研磨之表面加工镜面研磨之半导体镜面晶圆之制造方法,其特征在于:在上述两面低辉度化研磨中所使用之研磨剂系使用主要成分为含二氧化矽研磨剂,而添加了聚烯烃系微粒子材料而成之半导体晶圆研磨用研磨剂。3.如申请专利范围第1项之半导体镜面晶圆之制造方法,其中上述半导体镜面晶圆之制造过程,包含:将单晶晶棒切片而获得薄圆板状之晶圆的切片过程、及将藉由该切片过程所得到之晶圆的外周进行倒角的倒角过程、及将经过倒角的晶圆进行平面化之抛光过程、及将去经过倒角以及抛光后之晶圆之加工偏差的蚀刻过程以及对经过蚀刻之晶圆的面进行研磨的研磨过程。4.如申请专利范围第2项之半导体镜面晶圆之制造方法,其中上述半导体镜面晶圆之制造过程,包含:将单晶晶棒切片而获得薄圆板状之晶圆的切片过程、及将藉由该切片过程所得到之晶圆的外周进行倒角的倒角过程、及将经过倒角的晶圆进行平面化之抛光过程、及除去经过倒角以及抛光后之晶圆之加工偏差的蚀刻过程以及对经过蚀刻之晶圆的面进行研磨的研磨过程。5.一种半导体镜面晶圆之制造方法,系针对包含了:将单晶晶棒切片而获得薄圆板状之晶圆的切片过程、及对由该切片过程所得到之晶圆的外周进行倒角之倒角过程、及对经倒角之晶圆的两面进行1次镜面研磨之两面1次镜面研磨过程、及对两面经1次镜面研磨之晶圆的一面进行低辉度化研磨之背面低辉度化研磨过程、以及将一面经低辉度化研磨之晶圆之剩下来的一面进行加工镜面研磨之表面加工镜面研磨过程之半导体镜面晶圆之制造方法,其特征为:在上述背面低辉度化研磨过程中所使用之研磨剂系使用主要成分为含二氧化矽研磨剂,而添加了聚烯烃系微粒子材料而成之半导体晶圆研磨用研磨剂。6.一种半导体镜面晶圆之制造方法,系针对包含了:将单晶晶棒切片而获得薄圆板状之晶圆的切片过程、及对由该切片过程所得到之晶圆的外周进行倒角之倒角过程、及对被倒角之晶圆的两面进行低辉度化研磨之两面低辉度化研磨过程、以及对两面经低辉度化研磨之晶圆的一面进行加工镜面研磨之表面加工镜面研磨过程的半导体镜面晶圆之制造方法,其特征为:在上述背面低辉度化研磨过程中所使用之研磨剂系使用主要成分为含二氧化矽研磨剂,而添加了聚烯烃系微粒子材料之半导体晶圆研磨用研磨剂。7.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之半导体镜面晶圆之制造方法,其中上述含二氧化矽研磨剂是胶体二氧化矽研磨剂。8.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之半导体镜面晶圆之制造方法,其中上述聚烯烃系微粒子材料是聚烯烃水性分散剂。9.如申请专利范围第7项之半导体镜面晶圆之制造方法,其中上述聚烯烃系微粒子材料是聚烯烃水性分散剂。10.如申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之半导体镜面晶圆之制造方法,其中上述聚烯烃系微粒子材料的添加量相对于研磨剂之总量在0.01-1wt%的范围内。11.如申请专利范围第7项之半导体镜面晶圆之制造方法,其中上述聚烯烃系微粒子材料的添加量相对于研磨剂之总量在0.01-1wt%的范围内。12.如申请专利范围第8项之半导体镜面晶圆之制造方法,其中上述聚烯烃系微粒子材料的添加量相对于研磨剂之总量在0.01-1wt%的范围内。13.如申请专利范围第9项之半导体镜面晶圆之制造方法,其中上述聚烯烃系微粒子材料的添加量相对于研磨剂之总量在0.01-1wt%的范围内。图式简单说明:第一图系表本发明之半导体镜面晶圆之制造方法之第1实施形态的流程图。第二图系表本发明之半导体镜面晶圆之制造方法之第2实施形态的流程图。第三图系表本发明之半导体镜面晶圆之制造方法之第3实施形态的流程图。第四图系表本发明之半导体镜面晶圆之制造方法之第4实施形态的流程图。第五图系表在本发明之实验例以及比较实验例中所使用之单面研磨装置的侧面图。第六图系表在实验例2中经低辉度化研磨处理后之晶圆表面的显微照片。第七图系表在实验例2中经低辉度化研磨处理后之晶圆之其他表面部分的显微照片与其表面之平坦度的说明图。第八图系表在实验例1中之聚烯烃系微粒子材料之添加量与研磨速度之关系的说明图。第九图系表在实验例2以及比较实验例1-3中之经各种处理后之晶圆面之辉度的测量结果。第十图系表在实验例1以及比较实验例1-3中之经各种处理之晶圆面之发尘性之评估结果的说明图。第十一图系表在实验例2以及比较实验例1-3中之晶圆面之发尘性之评估方法的说明图。第十二图系表在比较实验例1中经镜面研磨处理后之晶圆表面的显微照片。第十三图系表在比较实验例2中经酸蚀刻处理后之晶圆表面的显微照片。第十四图系表两面研磨装置之断面说明图。第十五图系表在取下两面研磨装置之上定盘之状态下之上面说明图。第十六图系表本发明之半导体镜面晶圆之制造方法之第1实施形态之特征部分的流程图。第十七图系表本发明之半导体镜面晶圆之制造方法之第2实施形态之特征部分的流程图。第十八图系表在实施例1-4以及比较例1中经研磨加工后之晶圆背面之TTV(平坦度)的说明图。第十九图系表在实施例1-4以及比较例1中经研磨加工后之晶圆背面之发尘性之评估结果的说明图。第二十图系表在实施例1-4以及比较例1中经研磨加工后之晶圆背面之辉度之测量结果的说明图。第二十一图系表以往之半导体镜面晶圆之制造方法之一例的流程图。第二十二图系表经酸蚀刻后之晶圆表面之粗度分布的图面。第二十三图系表经硷蚀刻后之晶圆表面之粗度分布的图面。 |
