| 主权项 |
1.一种抑制被水性系统所接触的金属表面腐蚀的方法,其包括将可达成此目的之有效量卤-苯并三氮唑添加至该水性系统,该卤-苯并三氮唑系于该水性系统外制得。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该水性系统系以卤素处理。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中硫化物离子存在于该水性系统中。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该卤-苯并三氮唑系选自由氯甲苯基三氮唑和溴甲苯基三氮唑所组成之族群。5.根据申请专利范围第1项的方法,其中该卤-苯并三氮唑是以大于约每百万份0.5份之浓度加至该水性系统中。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该卤-苯并三氮唑是以约每一百万份0.5份到约每百万10份之浓度加至该水性系统中。7.一种在与水性系统接触之金属表面上形成腐蚀抑制层的方法,其包括将可达成此目的之有效量卤-苯并三氮唑加至该水性系统中,该卤-苯并三氮唑系于该水性系统外制得。8.一种减少欲使用氯处理以抑制微生物生长的水性系统中氯需求量的方法,其包括将可达成此目的之有效量卤-苯并三氮唑加至该水性系统中,该卤-苯并三氮唑系于该水性系统外制得。9.一种抑制铜离子在与金属表面接触的水性系统中输送的方法,该金属表面包括铜,该方法包括将可达成此目的之有效量卤-苯并三氮唑加至该水性系统中,该卤-苯并三氮唑系于该水性系统外制得。10.一种抑制被水性系统所接触的金属表面腐蚀的方法,其包括将可达成此目的之有效量藉由甲苯基三氮唑和次氯酸盐在该水系统外反应所形成的卤-苯并三氮唑加至该水性系统中。 |
