| 主权项 |
1.一种半导体装置之输入缓冲器,其包含:一电源供应装置,其系用以因应一控制信号之变化,而提供一操作电源电压予一内部电源节点;一第一及第二主动负载;一第一MOS电晶体,其通道系形成于该电源节点与该第一主动负载之间,该第一MOS电晶体经由该第一主动负载输出一通道电位,因应于一参考电压之该通道电位将被输入至一控制电极中;一第二MOS电晶体,其通道系形成于该电源节点与该第二主动负载之间,该第二MOS电晶体经由该第二主动负载提供一通道电位予一晶片中之一输入垫,因应于一信号源之该通道电位将被输入至该控制电极中;以及一电容装置系用以连接于该信号源之输入节点与该第一MOS电晶体之输出节点之间。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之输入缓冲器,其中该第一与第二主动负载系由第一与第二NMOS电晶体所组成之电流镜,该第一与第二NMOS电晶体之通道系分别形成于该第一与第二MOS电晶体之输出与接地电压之间。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之输入缓冲器,其中该第一与第二MOS电晶体系皆为PMOS电晶体,其源极系连接于该内部电源节点,该电晶体之汲极系分别被连接于该第一与第二主动负载,该电晶体之闸极则用以接收一外部信号源以及一参考电压。4.一种半导体装置之输入缓冲器,其包含:一第一PMOS电晶体,其系用以因应一控制信号之变化,而提供一操作电源电压予一内部电源节点;一第一及第二NMOS电晶体,依据用以输入至其闸极处之信号之准位,而自其源极至汲极处形成一电流路径;一第二PMOS电晶体,其通道形成于该电源节点与该第二NMOS电晶体之间,该第二PMOS电晶体提供电流予该第二NMOS电晶体之汲极与闸极,因应于一参考信号之准位之该电流系用以输入至该第二PMOS电晶体之闸极处;一第三PMOS电晶体,其通道形成于该电源节点与该第一NMOS电晶体之汲极之间,该第三PMOS电晶体提供电流予该第一NMOS电晶体之汲极与闸极,因应于一外部信号之准位之该电流系用以输入至该第三PMOS电晶体之闸极处;以及一电容装置系用以连接于该外部信号源之输入节点与该第一及第二NMOS电晶体之闸极电极之间。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置之输入缓冲器,其中更包含一驱动器,其系用以连接于该半导体装置之信号源垫与该第三PMOS电晶体及第一NMOS电晶体之汲极之连接点之间,该驱动器用以驱动一信号自该连接点处输出至该信号源垫。图式简单说明:第一图系为习知半导体装置之输入缓冲器之电路图式;第二图系为本案半导体装置之输入缓冲器之电路图式;以及第三图显示当输入缓冲器接收到信号时,第一图及第二图中输入缓冲器部份之波形图。 |
