| 主权项 |
1.一种显像处理方法,系将基板上所涂抹之光阻以显像剂予以显像者,具有以下之过程:(a)将基板实质地保持水平,以使光阻涂抹面朝上;(b)以第1旋转速度N1,使基板开始旋转,在基板旋转中,在显像液不会喷到基板之距离位置处,从喷嘴开始吐出显像液,一边保持着继绩喷出显像液,一边开始进行将喷嘴沿着基板移动之扫描移动;(c)在该喷嘴之扫描移动中,开始进行使基板旋转减速之第1减速;(d)在此第1减速中,当基板之旋转速度到达第2旋转速度N2时,使喷嘴在基板之中央领域之正上方停止;(e)在基板之旋转速度到达第3旋转速度N3时,使第1减速中止;(f)以第3旋转速度N3,旋转基板之后,又开始进行使基板之旋转从第3旋转速度N3减速到第4旋转速度N4之第2减速,基板之旋转速度到达第4旋转速度N4时,使第2减速终了,一边以第4旋转速度N4使基板旋转,一边连续地将显像液供给到基板上,藉此,在基板上实质地形成厚度一样之显像液之液膜,藉此使基板上所涂抹之光阻显像。2.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(d)之第2旋转速度N2,系在300rpm以上500rpm以下之范围。3.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(d)之第2旋转速度N2,系为5005rpm。4.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(c)至工程(e),其第1减速之加速度系在每秒1000100rpm之范围。5.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中在上述(d)工程中,当基板之旋转到达第2旋转速度N2时,基板之光阻涂抹面之60%-80%之面积与显像液接触。6.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中在上述(d)工程中,当基板之旋转到达第2旋转速度N2时,基板之光阻涂抹面之605%之面积与显像液接触。7.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(b)及(c),系将从由喷嘴开始对基板供给显像液起,到第1减速开始为止之预等待时间,设定在0.3-0.5秒间之范围。8.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(b)至工程(d),系将其喷嘴之扫描移动时间,设定于0.8-1.0秒之间之范围。9.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(b)至工程(d),系将其喷嘴之扫描移动速度,设定于60-100rpm/秒之范围。10.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(c)至工程(e),系将其第1减速所要之时间,设定于0.9秒之间。11.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(f),系将第4旋转速度之处理时间,设定为2.5秒间。12.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(e)之第3旋转速度N3,系为1005rpm。13.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(f)之第4旋转速度N4,系为302rpm。14.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中更在上述工程(f)之后,停止从喷嘴供给显像液,以第1旋转速度N1,使基板旋转,藉此使基板上之显像液离心分离。15.如申请专利范围第1项之显像处理方法,其中上述工程(b)至工程(f)期间,系将喷嘴与基板之间之间隙设定成2至10mm之范围。图式简单说明:第一图系表示使用习知之显像处理方法时之显像液之状态之模式图。第二图系表示本发明之实施例之显像处理方法所用之光阻涂抹显像处理系统之全体概要平面图。第三图系表示涂抹显像处理系统之正面图。第四图系表示涂抹显像处理系统之背面图。第五图系将本发明之实施例之显像处理方法所用之装置之一部份切开之方块图。第六图A系表示显像液吐出开始时之喷嘴与晶圆之位置关系平面图。第六图B系表示扫描移动终了时之喷嘴与晶圆之位置关系平面图。第七图系表示显像液供给用喷嘴纵剖面图。第八图系示本发明之实施例之显像处理方法之流程图。第九图A-第九图F系说明一连之显像处理工程,而从各显像位置之侧面看之纵剖面图。第十图系说明本发明之实施例之显像处理方法之时序图。第十一图A-第十一图C系每个显像处理方法,其喷嘴及晶圆形态之平面模式图。第十二图系每个喷嘴之扫描移动速度,晶圆之旋转数与显像缺陷数之相关连之结果之特性线图。第十三图系表示调查预湿时间与显像缺陷数之相关连之结果之特性线图。 |
