ELECTRICAL BONDING OF A SEMICONDUCTOR JUNCTION

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiterbauelementen sowie ein entsprechendes Halbleiterbauelement, das mit dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellt wird. Es wird ein Verfahren zum Kontaktieren einer bedeckten Halbleiterschicht (1) über ein Kontaktloch (4) mit dem Schritt: Erzeugen des Kontaktloches (4) in einer Isolatorschicht (2) zum Kontaktieren wenigstens einer bedeckten Halbleiterschicht (1), vorgeschlagen, das gekennzeichnet ist durch die Schritte: Erzeugen einer hoch dotierten Polysiliziumschicht (7) auf der Oberfläche der Isolatorschicht (2), wobei das Kontaktloch (4) wenigstens teilweise mit hoch dotiertem Polysilizium aufgefüllt ist; Aufbringen einer Metallschicht (3) auf der hoch dotierten Polysiliziumschicht (7) zur Herstellung einer ohmschen Verbindung nach aussen.