| 主权项 |
1.一种磁头,包括一对互相面对之基底,其特征为一薄膜线圈是形成在至少该等基底之一上,及在相当于二基体间存在之薄膜线圈之电气连接部份之一基底位置上形成有多个突起表面,其是倾斜于形成薄膜线圈之基底之表面交叉之方向上,及宽度为1至10微米之多个突起是按1至10微米之距离由该多个突起表面形成,该电气连接部份之导电镀层系形成于顺着该多个突起之隆脊表面上,而较该薄膜线圈之其余图型部份为高。2.如申请专利范围第1项之磁头,其中该薄膜线圈区域除其电气连接部份外是由一绝缘膜覆盖。3.如申请专利范围第1项之磁头,其中该薄膜线圈区域除其连接部份外是配置在相关基底上形成之一凹穴内。4.如申请专利范围第1项之磁头,其中该薄膜线圈是形成在每一个基底上及这些薄膜线圈是电气连接以构成一个线圈。5.一种磁头制造方法,用于制造如申请专利范围第1项之磁头,其特征为在相当于二基体间存在之薄膜线圈之电气连接部份之基底位置上藉由有多个开口之光罩形成有多个突起表面,其是倾斜于所形成之薄膜线圈之基底之表面交叉之方向上,该电气连接部份之导电镀层系形成于顺着该多个突起之隆脊表面上,而较该薄膜线圈之其余图型部份为高。图式简单说明:第一图(a)和第一图(b)显示根据本发明之一最佳实施例之一磁头之构造剖面;第一图(a)是线圈图型部份之剖面图,而第一图(b)图是第一图(a)中Ib部份之放大图。第二图是一放大剖面图显示在磨光前线圈图型之内侧端末部份之铜片层。第三图是一放大剖面图显示在磨光后线圈图型之内侧端末部份之铜片层。第四图是一放大剖面图显示线圈图型之内侧端末部份之铜片层和其上之金膜。第五图是一说明图以说明在一玻璃层上形成突起之步骤。第六图(a)、第六图(b)和第六图(c)是图解光阻层上长缝间距与形成在玻璃层上突起形状间之关系;第六图(a)显示长缝间距为大之一实例,第六图(b)显示长缝间距为小之实例,及第六图(c)显示长缝间距更小之实例。第七图是一对磁头半体之平面图。第八图(a)和第八图(b)显示一对磁头半体之横剖面构造;第八图(a)是第七图中沿VIIIa-VIIIa线之剖面图,第八图(b)是第七图中沿VIIIb-VIIIb线之剖面图。第九图是一用于制造一磁头半体之基体之透视图。第十图是一图解在基材上实行第一沟槽制造步骤之透视图。第十一图是一图解形成金属磁膜之步骤之透视图。第十二图是一图解玻璃充填步骤之透视图。第十三图是一图解在基材上执行第二和第三沟槽制造步骤之透视图。第十四图是一图解玻璃充填步骤之透视图。第十五图是一图解在基材上执行第四和第五沟槽制造步骤之透视图。第十六图是一图解玻璃充填及变平步骤之透视图。第十七图是第十六图中XVII部份(一未完成磁头半体)之放大图。第十八图(a)和第十八图(b)分别是第十七图中未完成磁头半体之平面图和剖面图。第十九图(a)和第十九图(b)分别是在玻璃层上提供有光阻抗蚀层之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第二十图(a)和第二十图(b)分别是在玻璃层上提供有凹穴之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第二十一图(a)和第二十一图(b)分别是提供有铜镀基膜之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第二十二图(a)和第二十二图(b)分别是在基膜上提供有光阻抗蚀层之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第二十三图(a)和第二十三图(b)分别是提供有铜镀膜之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第二十四图(a)和第二十四图(b)分别是藉移除无铜镀层在其上之基膜所形成有线圈图型在其上之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第二十五图(a)和第二十五图(b)分别是在铜镀层上提供有光阻抗蚀层之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第二十六图(a)和第二十六图(b)分别是已移除不需要之铜镀层后之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第二十七图(a)和第二十七图(b)分别是在凹穴中提供有绝缘保护膜之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第二十八图(a)和第二十八图(b)分别是其表面已变平之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第二十九图(a)和第二十九图(b)分别是在表面形成有金膜之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第三十图(a)和第三十图(b)分别是在金膜上形成有光阻抗蚀层之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第三十一图(a)和第三十一图(b)分别是金膜已图型化后之未完成磁头半体之平面图和剖面图。第三十二图是显示切割一对未完成磁头半体之线条之透视图。第三十三图是显示一对磁头半体如何固定于一起之透视图。第三十四图(a)和第三十四图(b)分别是一对磁头半体固定一起之透视图和剖面图。第三十五图是一已去除不需要部份之磁头之透视图。第三十六图是根据另一最佳实施例之一对磁头半体之平面图。第三十七图是一沿第三十六图中E-E线之剖面图。第三十八图是根据另一最佳实施例相似于第三十七图之已经固定一起之一对磁头半体之剖面图。第三十九图是根据又一最佳实施例相似于第三十七图之已经固定一起之一对磁头半体之剖面图。 |
