半导体晶圆之清洗方法

摘要

本发明系提供一种可将去除半导体晶圆表面之粒子或重金属之清洗装置小型化，而可防止由于酸引起之环境恶化之半导体晶圆之清洗方法为其目的。本发明之构成系将被研磨之半导体晶圆使用ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ之混合液清洗。将由此混合液所清洗之半导体晶圆使用提高温度（４０～１００℃）之纯水清洗。本发明之作用系不使用酸性清洗液，而将粒子与重金属之两方在该室内之处理设施即可去除。

主权项

1.一种半导体晶圆之清洗方法,其系一种半导体晶圆之清洗,其特征为;将半导体晶圆使用硷性溶液清洗后,使用热水清洗。2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之清洗方法,其中,热水之温度为40-100℃。3.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之清洗方法,其中,硷溶液为NH4OH/H2O2/H2O之混合液。图式简单说明:第一图系表示纯水之温度与PH値之关系之图。第二图系表示使用纯水之半导体晶圆清洗之水温与晶圆表面之重金属残量(指数)关系之图。第三图系表示使用纯水之半导体晶圆清洗之水温与晶圆表面之粒子残量(指数)关系之图。