| 主权项 |
1.一种电压调整电路,包含:第一MOS电晶体,接在电压供给线与输出点之间,第一MOS电晶体于输出点提供稳定电压;一源极随耦器,接到第一MOS电晶体之闸极;一放大器,接到源极随耦器之闸极以控制第一MOS电晶体之回应;负回馈电路,接在输出点与放大器之间,回馈电路提供回馈至放大器;一电流传送器,接到第一MOS电晶体;及正回馈电路,接在电流传送器与源极随耦器之间。2.如申请专利范围第1项之电路,更包含接到源极随耦器之电流源极。3.如申请专利范围第1项之电路,其中电流传送器包含:第二MOS电晶体,具有接到第一MOS电晶体之闸极;第一双极电晶体,接到第一MOS电晶体;第二双极电晶体,接到第二MOS电晶体,第二双极电晶体之基极接到第一双极电晶体之基极;第三MOS电晶体,接到第一双极电晶体;及第四双极电晶体,接到第二双极电晶体与第一双极电晶体之基极,第四MOS电晶体之闸极接到第三MOS电晶体之闸极与第一双极电晶体。4.如申请专利范围第1项之电路,其中正回馈电路包含:一正回馈MOS电晶体,接到源极随耦器;一电阻,接在电流传送器与正回馈MOS电晶体之闸极间;及一电容器,接到正回馈MOS电晶体之闸极。5.如申请专利范围第1项之电路,其中负回馈电路包含:第一电阻,具有接到输出点之第一端与接到放大器之第二端;及第二电阻,接到第一电阻之第二端。6.一种电压调整电路,包含:一MOS电晶体,接在电压供给线与输出点之间,MOS电晶体在输出点上提供稳定电压;一源极随耦器,接到MOS电晶体之闸极;一放大器,具有一输出接到源极随耦器之闸极以控制MOS电晶体之回应;负回馈电路,接在输出点与放大器之输入之间;及一变化率增强电晶体,接到源极随耦器,变化率增强电晶体之闸极接到放大器之输出。图式简单说明:第一图是包含PMOS通过元件的低电压降(LDO)调整器之实施例的示意电路图。 |
