| 主权项 |
1.一种半导体雷射,具备形成隆起状之包覆层、及掩埋于此隆起部两侧之电流阻隔层;上述电流阻隔层系,具有Al组成X较0.7为大之AlxGal-xAs层所构成的第1电流阻隔层。2.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射,其中,第1电流阻隔层之膜厚为0.7m以下。3.如申请专利范围第1或第2项所述之半导体雷射,其中,第1电流阻隔层之Al组成X系形成最下部高、且越往上値越低。4.如申请专利范围第2项所述之半导体雷射,其中,在第1电流阻隔层上,配置结晶成长出之Al组成为Y之AlYGal-YAs层;上述Al组成Y系,使得AlYGal-YAs层之热膨胀系数与用来形成隆起部之色覆层的热膨胀系数形成相同之値。5.一种半导体雷射,具备形成隆起状之包覆层、及掩埋于此隆起部两侧之电流阻隔层;上述电流阻隔层系,具有先成长出之AlAs层所构成之第1电流阻隔层,及在此第1电流阻隔层上结晶成长出之具有所望的Al组成X之AlxGal-xAs层。6.一种半导体雷射,具备形成隆起状之包覆层、及掩埋于此隆起部两侧之电流阻隔层;上述电流阻隔层系,具有成长自AlAs起、且其Al组成X为越往上越低般结晶成长出之AlxGal-xAs层。7.一种半导体雷射,具备形成隆起状之包覆层、及掩埋于此隆起部两侧之电流阻隔层;上述层电流阻隔层系,具有藉由AlAs单分子层与GaAs单分子层的组合所结晶成长出之具有所望的Al组成X之AlxGal-xAs第1电流阻隔层。8.一种半导体雷射,具备形成隆起状之包覆层、及掩埋于此隆起部两侧之电流阻隔层;上述电流阻隔层系,具有藉由择自构成5元结晶的元素之2元结晶的单分子层之组合所结晶成长出之具有所望的Al组成X之AlxGal-xAs第1电流阻隔层。9.一种半导体雷射的制造方法,具有藉由MOCVD法以将AlGaAs系之电流阻隔层掩埋成长于隆起部的两侧之步骤;其特征在于,上述电流阻隔层的掩埋成长步骤系,在600℃以上之高温条件下形成结晶性佳的第1结晶层,在600℃以下之低温条件下、在此结晶性佳的第1结晶层上结晶成长出结晶性不佳之第2结晶层。图式简单说明:第一图系显示本发明的实施形态1之半导体雷射的剖面图。第二图(a)-(d)系显示本发明的实施形态1之半导体雷射之制造步骤的剖面图。第三图系显示本发明的实施形态1之半导体雷射之隆起部的两侧部之AlGaAs电流阻隔层的室温(约25℃)下之PL光谱图。第四图系显示本发明的实施形态2之半导体雷射的剖面图。第五图系显示本发明的实施形态3之半导体雷射的剖面图。第六图系显示本发明的实施形态4之半导体雷射的剖面图。第七图系显示本发明的实施形态5之半导体雷射的剖面图。第八图系显示本发明的实施形态6之半导体雷射的剖面图。第九图(a)、(b)系显示本发明的实施形态7之半导体雷射的剖面图。第十图(a)、(b)系显示本发明的实施形态7之半导体雷射之制造步骤之一部分的剖面图。第十一图系显示本发明的实施形态8之半导体雷射的剖面图。第十二图(a)、(b)系显示本发明的实施形态8之半导体雷射之制造步骤之一部分的剖面图。第十三图系显示习知的半导体雷射之剖面图。第十四图系显示习知的半导体雷射中之三重量子井活性层之模式图。第十五图(a)-(d)系显示习知的半导体雷射之制造步骤之剖面图。第十六图系显示习知之半导体雷射之隆起部的两侧部之AlGaAs电流阻隔层的室温(约25℃)下之PL光谱图。 |
