| 主权项 |
1.一种制程监控阶段码识别装置,系设置于电路小片间之切割道上,与该等电路小片内之罩幕式记忆单元同时形成;该制程监控阶段码识别装置,包括复数金氧半场效电晶体;当藉由一编码罩幕规画该罩幕式记忆单元时,同时亦将该编码罩幕之编号所代表之二进位码,规画储存于该等金氧半场效电晶体内。2.如申请专利范围第1项所述之该制程监控阶段码识别装置,其中,该等金氧半场效电晶体之闸极互呈电性耦接成一第一接点,该等金氧半场效电晶体之源极互呈电性耦接成一第二接点。3.如申请专利范围第2项所述之该制程监控阶段码识别装置,当需读出该二进位码时,该第一接点系连接至约介于3.3-5V间之电位,该第二接点系连接至约为接地电位,而自该等金氧半场效电晶体源极获取该二进位码。4.如申请专利范围第1项所述之该制程监控阶段码识别装置,其中,储存该二进位码的方式是非挥发性的。5.如申请专利范围第4项所述之该制程监控阶段码识别装置,其中,储存该二进位码,是以调整该等金氧半场效电晶体个别临限电压的方式形之。6.如申请专利范围第5项所述之该制程监控阶段码识别装置,其中,调整该等金氧半场效电晶体个别临限电压者是以离子布植法形之。图式简单说明:第一图系显示一晶圆上业经定义区分为复数电路小片之顶视图;以及第二图系显示根据本发明一较佳实施例的电路图。 |
