| 主权项 |
层表面上一个部分形成,并且可以填充接点孔;一闸极电极,在绝缘层表面上另一个部分形成,并与第二电极隔有一个选定距离。2.如申请专利范围第1项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中所述半导体层为一非晶矽材料。3.如申请专利范围第1项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中更进一步包含在所述第一电极及半导体层之间的第一欧姆层,及在半导体层及绝缘层之间的第二欧姆层。4.如申请专利范围第3项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中第一及第二欧姆层系采用n+非晶矽材料,且具有相同之杂质浓度。5.如申请专利范围第1项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中更进一步包含:在第一欧姆层及半导体层之间的第一崩溃电压控制层,及在第二欧姆层及半导体层之间的第二崩溃电压控制层。6.如申请专利范围第5项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中第一崩溃电压控制层及第二崩溃电压控制层系采用n-非晶矽材料,且具有相同之杂质浓度,且第一崩溃电压控制层及第二崩溃电压控制层之杂质浓度较第一及第二欧姆层杂质浓度低。7.如申请专利范围第1项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中第一电极及第二电极其中之一为源极电极,另一个则为渠极电极。8.如申请专利范围第1项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中第二电极及闸极电极系采用相同之材料。9.如申请专利范围第1项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中第一电极及闸极电极对齐。10.如申请专利范围第1项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中闸极电极系采用下列材料中至少一个:铝、铝/钼、钼、镉、或这些材料之组合。11.如申请专利范围第1项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中第一电极系采用下列材料中至少一个:铝、铝/钼、钼、镉、钼钽、钼钨、或这些材料之组合。12.如申请专利范围第9项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中第一电极及第二电极其中之一为源极电极,另一个则为渠极电极。13.一种用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,包含:一基材;一第一电极,在基材上形成,且具有第一宽度;一个半导体层,在第一电极上形成,且具有第二宽度,此地二宽度小于或是等于第一宽度;一绝缘层,在含有半导体层之所得结构之整个表面上形成,此绝缘层中有一个接点孔,以露出半导体层表面上之一个部分;一第二电极,在绝缘层表面上一个第一部分形成,并且可以填充接点孔;一第三电极,在绝缘层之一个第二选定部分形成,并且延伸至第二电极表面上的一个部分;一第四电极,在绝缘层之一个第三选定部分形成,并且与第三电极格有一个选定距离。14.如申请专利范围第13项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中第一电极及第三电极中之一个为一源极电极,而另一个为渠极电极,第二电极为图素电极,第四电极为闸极电极。15.如申请专利范围第14项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中闸极电极与源极电极对齐。16.如申请专利范围第13项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体,其中更进一步包含有覆盖第三电极及第四电极之覆盖层,及在覆盖层之上的光遮蔽层。17.一种用于液晶显示器元件之薄膜电晶体的制造方法,包含下列步骤:设立一基材;在基材上形成一第一电极,且具有第一宽度;在第一电极上形成一个半导体层,且具有第二宽度,此地二宽度小于或是等于第一宽度;在含有半导体层之所得结构之整个表面上形成一绝缘层,此绝缘层中有一个接点孔,以露出半导体层表面上之一个部分;在绝缘层表面上一个部分形成一第二电极,其可以填充接点孔;在绝缘层表面上另一个部分形成一闸极电极,并与第二电极隔有一个选定距离。18.如申请专利范围第17项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中所述半导体层为一非晶矽材料。19.如申请专利范围第17项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中更进一步包含下列步骤:(g)在步骤(b)后于所述第一电极及半导体层之间形成第一欧姆层,及(h)在步骤(c)后于半导体层及绝缘层之间形成第二欧姆层。20.如申请专利范围第19项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中第一及第二欧姆层系采用n+非晶矽材料,且具有相同之杂质浓度。21.如申请专利范围第19项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,更进一步包含下列步骤:(i)在步骤(g)后于第一欧姆层及半导体层之间形成第一崩溃电压控制层,及(j)在步骤(h)后于第二欧姆层及半导体层之间形成第二崩溃电压控制层。22.如申请专利范围第21项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中第一崩溃电压控制层及第二崩溃电压控制层系采用n-非晶矽材料,且具有相同之杂质浓度,且第一崩溃电压控制层及第二崩溃电压控制层之杂质浓度较第一及第二欧姆层杂质浓度低。23.如申请专利范围第17项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中第一电极及第二电极其中之一为源极电极,另一个则为渠极电极。24.如申请专利范围第17项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中第二电极及闸极电极系采用相同之材料。25.如申请专利范围第17项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中第一电极及闸极电极对齐。26.如申请专利范围第17项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中闸极电极系采用下列材料中至少一个:铝、铝/钼、钼、镉、或这些材料之组合。27.如申请专利范围第17项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中第一电极系采用下列材料中至少一个:铝、铝/钼、钼、镉、钼钽、钼钨、或这些材料之组合。28.如申请专利范围第17项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中步骤(e)及步骤(f)系同时进行。29.如申请专利范围第17项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中第一电极及闸极电极对齐。30.如申请专利范围第17项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中第一电极及第二电极其中之一为源极电极,另一个则为渠极电极。31.一种用于液晶显示器元件之薄膜电晶体的制造方法,包含下列步骤:设立一基材;在基材上形成一第一电极,且具有第一宽度;在第一电极上形成一个半导体层,且具有第二宽度,此地二宽度小于或是等于第一宽度;在含有半导体层之所得结构之整个表面上形成一绝缘层,此绝缘层中有一个接点孔,以露出半导体层表面上之一个部分;在绝缘层表面上一个第一选定部分形成一第二电极;在绝缘层之一个第二选定部分形成一第三电极,并且延伸至第二电极表面上的一个部分,其可以填充接点孔;及在绝缘层之一个第三选定部分形成一第四电极,并且与第三电极格有一个选定距离。32.如申请专利范围第31项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中第一电极及第三电极其中之一为源极电极,另一个则为渠极电极,第二电极为一图素电极、第四电极为闸极电极。33.如申请专利范围第31项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中第一电极及闸极电极对齐。34.如申请专利范围第31项之用于液晶显示器元件之薄膜电晶体之制造方法,其中更进一步包含下列步骤:在步骤(f)后,于第三电极及第四电极之上覆盖一个覆盖层;及在步骤(g)后,于覆盖层之上形成一个光遮蔽层。图式简单说明:第一图是习知技艺中之液晶显示器之反向交错型TFT之剖面图。第二图a至第二图e是说明依据本发明来制作液晶显示器元件之一个TFT之步骤。第三图是本发明另一个液晶显示器元件之TFT之具体实例剖面图。第四图是本发明再另一个液晶显示器元件之TFT之具体实例剖面图。 |
