卷带自动焊接球阵式积体电路封装方法(二)

摘要

本发明系关于一种卷带自动焊接球阵式积体电路封装方法（二），尤指一种改良传统ＴＡＢ－ＢＧＡ积体电路之基材成本高昂、必须透过植锡球步骤而导致精密定位较差、无法达到更细小接点之限制以及此封装电路板更必须打线步骤而与晶片连接而导致封装面积较大的缺陷下，而为一种于压合有单面铜之聚亚醯胺膜(POLYIMIDE)表层进行定义形成第一乾膜、电镀铜／镍／金／镍（或镍／金、铜／镍）、去除第一乾膜、聚亚醯胺膜蚀刻形成孔洞，孔洞电解电镀形成外突接点、蚀刻薄铜及剥镍、雷射钻孔形成晶片安装孔及外围贯孔，形成一种可使外接接点更具细微效果以及仅需单点焊接方式焊接晶片而可缩小封装面积者。

主权项

1.一种形成沟渠绝缘区域于半导体矽晶圆上之方法,该矽晶圆中具有P井以及N井,该方法至少包含:形成一垫层于该晶圆之上;形成一氮化矽层于该垫层之上;形成一沟渠于该该氮化矽层、该垫层以及该晶圆之中;形成第一牺牲氧化层于该沟渠以及该垫层之表面;去除该P井上之该第一牺牲氧化层;形成硼矽玻璃层于该沟渠之表面,该硼矽玻璃形成于该垫层、该氮化矽层以及该第一牺牲氧化层之上;施以热处理将硼矽玻璃层中之硼离子扩散驱入该P井之中以形成通道阻绝层于该P井之中;去除该硼矽玻璃层;去除该第一牺牲氧化层;形成氧化层于该沟渠、该垫层之表面;以液相沈积法选择性地形成LPD-氧化层于该沟渠之中;以化学机械研磨法将该LPD-氧化层平坦化至该氮化矽层之表面;去除该氮化矽层;及去除该垫层。2.如申请专利范围第1项之方法,更包含下列步骤以形成该沟渠:形成一光阻于该氮化矽层之上以定义该沟渠之区域;蚀刻该氮化矽层、该垫层以及该晶圆;及去除该光阻。3.如申请专利范围第1项之方法,更包含形成一闸极氧化层于去除该垫层之后。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述热处理之温度约为900-1000℃。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之LPD-氧化层之厚度约为2000至8000埃之间。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述垫层为氧化矽。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化矽层为利用低压化学气相沈积法(Low Pressure Chemical VaporDeposition; LPCVD)、电浆增强式化学气相沈积法(Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition;PECVD)或高密度电浆化学气相沈积法(High Density PlasmaChemical Vapor Deposition; HDPCVD)形成。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之反应气体为SiH4,NH3,N2,N2O。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之反应气体为SiH2Cl2,NH3,N2,N2O。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氮化矽层以热磷酸去除。11.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之垫层为利用HF去除。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一牺牲氧化层为利用HF去除。13.如申请专利范围第2项之方法,更包下列步骤于形成该闸极氧化层之前:形成第二牺牲氧化层于该晶圆之上;及去除该第二牺牲氧化层。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之第二牺牲氧化层为利用HF去除。图式简单说明:第一图为本发明之形成N井、P井以及复数个沟渠结构于基板上之截面图;第二图为本发明之形成牺牲氧化层(SAC)于基板上之截面图;第三图为本发明之去除形成于P井上之牺牲氧化层之截面图;第四图为本发明之形成通道阻绝于P井中之截面图;第五图为本发明之去除BSG层之截面图;第六图为本发明之形成氧化层于浅沟渠中之截面图;第七图为本发明之形成液相氧化层之截面图;第八图为本发明之CMP平坦化之截面图;第九图为本发明之去除氮化矽及垫氧化层之截面图;及第十图为本发明之形成闸极氧化层之截面图。