| 主权项 |
1.一种形成双极电晶体的方法,包含有下列步骤:在一个半导体基体内形成一个第一n型掺杂区域,因之而形成一个集极区域;将铟离子植入该n型掺杂区域内,因之而成一个基极;形成一个射极区域,与该基极区域相接触。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中铟是以20Kev-200Kev的能量植入的。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中铟是以1012-1015cm-2的剂量植入的。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该射极是由下列步骤所形成的:在该基体上形成一个开设有纹路的氧化物层,该开设有纹路的层具有一个开孔,可暴露出该基极区域;将聚矽材料沉积至该开孔内并加以掺杂,以及加热该掺杂过的聚矽材料,以将掺杂物自聚矽材料内驱出,并进入至该基体内,因之而形成射极。图式简单说明:第一图至第五图是本发明之一示范性具体实施例的剖面图。 |
