| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,该方法包含在一基材上形成一导电材料膜的步骤,研除(polishing)该导电材料膜的步骤,及轻洗该该导电材料膜之经研除的表面的步骤,其中该清洗步骤是以一清洗剂实施一超音波清洗的步骤,在实际的清洗之前一超音波被施加于该清洗剂上。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中该研除步骤是以CMP(化学机械式研除)来实施。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中该超音波清洗是在一不低于800kHz的频带中实施的。4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置的制造方法,其中该该频带是一1MHz至3MHz(头尾包括在内)的范围。5.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中该该超音波清洗是在该清洗剂从一喷嘴被喷出的同时实施的。6.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中该超音波清洗是在该带有经研除之标面的基材以1000-2500rpm转速转动下被实施的。7.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中该物理清洗是从刷子擦拭及高压喷射清洗两者中所选取的。8.如申请专利范围第7项所述之半导体装置的制造方法,其中该该刷子擦拭是使用一毛海刷或一海绵刷来实施的。9.如申请专利范围第8项所述之半导体装置的制造方法,其中该PVA(聚乙烯醇)因该海绵而被使用的。10.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法,其中该超音波清洗于该物理清洗之后被再一次实施。图式简单说明:第一图为依据本发明之该半导体装置的制造方法的第一实施例的说明图;第二图为依据本发明之该半导体装置的制造方法的第一实施例的说明图;第三图为依据本发明之该半导体装置的制造方法的第一实施例的说明图;第四图为依据本发明之该半导体装置的制造方法的第一实施例的说明图;第五图为依据本发明之该半导体装置的制造方法的第一实施例的说明图;第六图为依据本发明之该半导体装置的制造方法的第一实施例的说明图;第七图为依据本发明之该半导体装置的制造方法的第一实施例的说明图;第八图为在金属CMP之后铝表面的一SEM照片;第九图为第八图的一放大的照片;第十图为在铝表面上之一刮痕的光学放大镜照片;第十一图为一展示晶圆随转速而异之百万赫兹级音波清洗效果的实验结果的图式;第十二图为在百万赫兹级音波清洗之后之铝表面的SEM照片;第十三图展示在百万赫兹级音波清洗之后之0.3微米或更大之尘粒的测量结果;第十四图为在依据本发明之第一实施例的清洗之后之铝表面的SEM照片;第十五图为一图表其展示有被施加超音波之一清洗溶剂之随着频率而异之清洗能量;第十六图为依据本发明之反射式液晶显示装置的一制造方法的说明图;第十七图为依据本发明之反射式液晶显示装置的一制造方法的说明图;第十八图为依据本发明之反射式液晶显示装置的一制造方法的说明图;第十九图为依据本发明之反射式液晶显示装置的一制造方法的说明图;第二十图为依据本发明之反射式液晶显示装置的一制造方法的说明图;第二十一图为依据本发明之反射式液晶显示装置的一制造方法的说明图;第二十二图为依据本发明之反射式液晶显示装置的一制造方法的说明图;第二十三图为依据本发明之反射式液晶显示装置的一制造方法的说明图;第二十四图为依据本发明之反射式液晶显示装置的一制造方法的说明图;第二十五图为依据本发明之反射式液晶显示装置的一制造方法的说明图;第二十六图为依据传统例子之半导体装置的制造方法的一说明图;第二十七图为依据传统例子之半导体装置的制造方法的一说明图;第二十八图为依据传统例子之半导体装置的制造方法的一说明图;第二十九图为依据传统例子之半导体装置的制造方法的一说明图;第三十图为依据传统例子之半导体装置的制造方法的一说明图;第三十一图为依据传统例子之半导体装置的制造方法的一说明图;第三十二图为依据传统例子之半导体装置的制造方法的一说明图;及第三十三图为一说明图其展示一清洗设备的外形。 |
